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[期刊论文] 作者：董逊,
来源：老年健康 年份：2010
中华武术经过了千百年的文化陶冶，是以内外兼修、术道并重为鲜明特点的一项内容极为丰富的人文运动。武术，并不单纯指单一的舞拳弄棒，其有“武”更有“术”。武术流派繁多，拳法多......
[期刊论文] 作者：董逊,
来源：投资研究 年份：1982
建设造价上涨问题,近几年愈来愈突出了。以北京地区住宅造价为例,1965年,每平方米造价为80～90元,现已涨到150元左右。壁板住宅造价上涨更多,已达200元左右。如不及早采取相应...
[期刊论文] 作者：董逊,
来源：中国能源 年份：2001
...
[期刊论文] 作者：董逊,
来源：成都大学学报(社会科学版) 年份：1989
党的十一届三中全会以来,随着改革开放的逐步深入和社会主义商品经济的蓬勃发展,社会主义文化市场开始出现并日益发展,成为社会主义初级阶段精神文明建设的重要组成部分。对...
[期刊论文] 作者：董逊,
来源：投资研究 年份：1982
为了更有效地控制基本建设投资规模,提高投资效果,我们认为,应当把控制建设造价问题摆上议事日程。控制基本建设规模,一方面要压缩建设项目,一方面要降低建设造价。因为基建...
[学位论文] 作者：董逊,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2003
三族氮化物材料由于其在蓝绿到紫外领域光电器件的广泛应用而成为人们研究热点,AlInGaN四元合金使得这种材料体系的应用范围得到极大的扩展.该文对AlInGaN的生长和性质作了以...
[期刊论文] 作者：董逊,
来源：消费导刊 年份：2019
随着“互联网+”时代的到来,我们的生活、工作及日常出行等出现了巨大的变化,在进行档案管理工作时也是如此,计算机相关技术的发展帮助我们实现了数据随身化、信息自动处理化...
[期刊论文] 作者：董逊,
来源：商品与质量 年份：2019
事业单位的档案信息安全管理工作是事业单位工作的重要组成,对于维系事业单位正常运转有着十分重要的作用.新时期下加强事业单位档案信息安全管理是一个重要的课题,需要事业...
[会议论文] 作者：李忠辉;董逊;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞...
[期刊论文] 作者：刘祥林,董逊,黎大兵,
来源：液晶与显示 年份：2004
研究了用MOCVD方法生长lnGaAlN四元合金材料的生长规律，发现生长温度在800～880℃．其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致...
[会议论文] 作者：刘祥林,董逊,黎大兵,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本文系统地研究了InGaAlN在不同温度下的生长规律.用光致光谱(PL)和时间分辨光谱(TRPL)分析了InGaAlN的光学性质.我们发现:在高温GaN过渡层上生长的InGaAlN,呈现零维发光性质...
[会议论文] 作者：李忠辉,董逊,张岚,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的...
[会议论文] 作者：李忠辉,董逊,张岚,
来源：第十届固体薄膜会议 年份：2006
利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时...
[期刊论文] 作者：刘海琪,周建军,董逊,陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结构制备了0.15μm栅长InAlN/AlN/GaN HEMT器...
[期刊论文] 作者：李赟,李哲洋,董逊,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外...
[会议论文] 作者：李忠辉,董逊,陈辰,张岚,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
利用MOCVD研究了无裂纹Si基AlGaN/GaN HEMT结构的外延生长工艺。在Si(111)衬底上生长高温AlN缓冲层,然后直接生长GaN沟道层,AlN插入层和AlGaN层。探讨了AlGaN和AlN插入层的生...
[会议论文] 作者：李赞,李哲洋,董逊,陈辰,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文使用水平热壁式化学气相沉积(hot-wall CVD)系统,固定C/Si,改变生长源流量,在偏向方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率、掺杂浓度的影响以及不同生长速率下外延薄膜表面形貌。......
[期刊论文] 作者：姜文海,陈辰,周建军,李忠辉,董逊,
来源：半导体技术 年份：2008
采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1...
[会议论文] 作者：姜文海,陈辰,李忠辉,周建军,董逊,
来源：2007年全国微波毫米波会议 年份：2007
采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器.在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在3...
[会议论文] 作者：姜文海,陈辰,周建军,李忠辉,董逊,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1...
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