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[期刊论文] 作者：李韫言,蔚燕华,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在空间生长ＳＩ－ＧａＡｓ的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有１０ｎｍ的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。......
[期刊论文] 作者：李韫言,蔚燕华,李成基,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。Some...
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