搜索筛选:
搜索耗时3.2219秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 10 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：蔡乃琼,
来源：西安电子科技大学 年份：2008
45nm工艺节点下传统的SiO2作为栅氧化层介质会导致电子的直接隧穿效应以及栅介质层所承受的电场变大，由此引起栅介质的泄漏电流增大和可靠性下降等问题，严重阻碍了MOS器件的进...
[学位论文] 作者：蔡乃琼,
来源：西安电子科技大学 年份：2008
45nm工艺节点下传统的SiO2作为栅氧化层介质会导致电子的直接隧穿效应以及栅介质层所承受的电场变大，由此引起栅介质的泄漏电流增大和可靠性下降等问题，严重阻碍了MOS器件的进一步发展。克服这些问题的有效方法之一是采用高介电常数的栅介质：HfO2取代传统的SiO2。......
[期刊论文] 作者：蔡乃琼,刘红侠,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2008
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究，理论分析的界面态分布与实验结果吻合．利用高频C-V法计算了平带电压...
[期刊论文] 作者：刘红侠,蔡乃琼,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2008
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,
来源：物理学报 年份：2004
为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,,
来源：物理学报 年份：2008
为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾,,
来源：物理学报 年份：2008
研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD)SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势...
[期刊论文] 作者：佟星元,陈杉,蔡乃琼,朱樟明,杨银堂,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2010
采用一种R-C-R组合式逐次逼近A/D转换方法,基于UMC 90 nm CMOS工艺设计了一种12位1兆赫兹采样频率的逐次逼近型A/D转换器.在电路设计上,通过复用两段式电阻梯结构,有效地降低...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾,匡潜玮,,
来源：半导体学报 年份：2008
推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用三角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾,匡潜玮,
来源：半导体学报 年份：2008
推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型，模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应．利用三角势垒近似求解薛定谔方程，得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到......
相关搜索：
