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[期刊论文] 作者：宋文斌,蔡小五,,
来源：电子世界 年份：2012
在考虑VDMOS器件的抗辐照特性时,为了总剂量辐照加固的需求,需要减薄氧化层的厚度,然而,从VDMOS器件的开关特性考虑,希望栅氧化层厚度略大些。本文论证了在保证抗辐照特性的...
[期刊论文] 作者：宋文斌,蔡小五,,
来源：微电子学 年份：2011
研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状态决定。一般MOSFET不具有此特殊结构,因而不...
[期刊论文] 作者：宋文斌,蔡小五,,
来源：微电子学 年份：2011
为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积,提出一种P-场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术。采用TCAD(ISE)对该技术进行模拟,结果表明,...
[期刊论文] 作者：蔡小五,马斌,梁平治,
来源：红外技术 年份：2005
近年来,非制冷红外探测器应用和开发一直是令人关注的焦点之一,详细介绍了几种现阶段流 行的非制冷热电堆探测器的工艺制作方法以及所用材料,并介绍了近几年来热电堆探测器的...
[期刊论文] 作者：李帅,蔡小五,隋振超,
来源：微电子学与计算机 年份：2020
在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布,此阶梯式分布能避免因锗含量过高产生位错...
[期刊论文] 作者：蔡小五,海潮和,周华杰,,
来源：电子器件 年份：2007
随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效...
[期刊论文] 作者：蔡小五,海潮和,王立新,陆江,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
由于“Silicon Limit”的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区...
[会议论文] 作者：蔡小五,韩郑生,马斌,梁平治,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文阐述了热电堆探测器的原理,利用ANSYS软件模拟了热电堆探测器的性能,阐述了采用微机械微机电方法制造热电堆探测的工艺过程,采用背面各向异性腐蚀方法架空封闭薄膜,其中所用膜系结构为热二氧化硅(1500埃)+LPCVD氮化硅(800埃)+PECVD氮化硅(3000埃)的复合薄膜......
[期刊论文] 作者：蔡小五,海潮和,王立新,陆江,刘刚,夏洋,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推...
[期刊论文] 作者：陆航,蔡小五,韩郑生,刘海南,罗家俊,
来源：微电子学与计算机 年份：2020
介绍了一种新型电压基准电路,通过引入高阶温度补偿和电源预调整结构,提高了基准电压精度.电路采用BCD工艺仿真,在-20~125℃温度范围内,输出电压的温度系数为1.4 ppm/℃;3 V...
[期刊论文] 作者：毕立强,蔡小五,谭守标,赵海涛,方侃飞,
来源：安徽大学学报:自然科学版 年份：2020
针对常用的高边智能功率芯片,提出一种基于VDMOS(vertical double-diffused MOS)分离元胞技术的高精度电流检测电路.该电路采用高增益、大带宽的折叠式运放,在满足响应速度的...
[期刊论文] 作者：蔡小五,海潮和,陆江,王立新,刘刚,刘梦新,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2008
本论文主要分析了Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应，叠层栅MOS电容中SiO2为20nm，Si3N4厚度分别为40nm和110nm，通过辐照前后电容CV曲线的对比分析，发现CV曲线的正方向漂移主要是...
[期刊论文] 作者：刘刚,蔡小五,韩郑生,陆江,王立新,夏洋,,
来源：核技术 年份：2008
分析了国产VDMOS（Vertical Double—diffusion MOSFET）总剂量试验数据，并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异，发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈...
[会议论文] 作者：蔡小五[1]韩郑生[1]马斌[2]梁平治[2],
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文阐述了热电堆探测器的原理,利用ANSYS软件模拟了热电堆探测器的性能,阐述了采用微机械微机电方法制造热电堆探测的工艺过程,采用背面各向异性腐蚀方法架空封闭薄膜,其中...
[会议论文] 作者：刘刚,蔡小五,陆江,王立新,韩郑生,夏洋,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺做了分析，深入研究了SEB和SEGR的机理，给出了大功率MOSFET抗单粒子辐照的加固方法，为新卫星电源分系统的可靠性研究打下良好基础。...
[会议论文] 作者：王立新,陆江,蔡小五,刘刚,韩郑生,夏洋,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
对两种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究，条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势，中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管，抗总剂量能力可达1400krad(Si)以上。......
[期刊论文] 作者：彭锐, 蔡小五, 刘海南, 罗家俊, 赵海涛, 吴秀龙,,
来源：微电子学与计算机 年份：2018
采用体硅0.25μm BCD工艺,设计了一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案,将需要传输的数字信号编码成两个不同宽度的高频脉冲,这些高频脉冲从变压器初级线圈耦合到次级线圈,并...
[期刊论文] 作者：张晓波,许东升,戴澜,蔡小五,彭锐,汤红菊,
来源：微电子学与计算机 年份：2019
本文提出了一种新型的ESD电源钳位电路,该电路采用反馈结构延长了电路在ESD事件来临时的开启时间,并且增强了电路的鲁棒性,避免电路在正常供电过程中发生误触发现象.和传统结...
[期刊论文] 作者：刘梦新,韩郑生,刘刚,蔡小五,王立新,夏洋,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2008
报道了一种抗辐射功率MOSFET，通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比，其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平，并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量......
[会议论文] 作者：蔡小五,海潮和,赵发展,王立新,陆江,刘刚,夏洋,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
为配合中国科学院微电子研究所VDMOS总剂量辐照、单粒子辐照、瞬态剂量率辐照等极限环境下器件开启电压的在线实时准确测量，开发了一套以虚拟仪器技术和图像化编程语言LAB...
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