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[学位论文] 作者：蔡运城,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2004
移动通信领域随着时代不断地向前迈进,经过逐年创新和发展,出现了越来越多的无线通讯技术、人工智能的产品融入到人们的生活当中。当前5G移动通讯技术正逐步地普及,高频信号...
[期刊论文] 作者：蔡运城, 曹军, 赵君鹏, 吴凯翔, 高海军,,
来源：微电子学 年份：2004
提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,...
[期刊论文] 作者：吴凯翔,赵君鹏,曹军,蔡运城,高海军,
来源：微电子学 年份：2020
基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz的三级Cascode结构的功率放大器.该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带...
[期刊论文] 作者：赵君鹏,吴凯翔,曹军,蔡运城,高海军,
来源：微电子学 年份：2020
基于IHP 0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器.该放大器由两级Cascode结构和一级共发射板结构组成.利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制...
[期刊论文] 作者：曹军,蔡运城,赵君鹏,吴凯翔,高海军,
来源：微电子学 年份：2020
基于Sanan 2 μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器...
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