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[学位论文] 作者：蔡道民,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
本论文主要研究InP/InGaAs单异质结双极晶体管（SHBT）及相关HBT/PIN单片集成光接收OEIC。从InP/InGaAs SHBT器件物理特性出发,分析了器件结构和性能参数,重点讨论了集电结对器件...
[期刊论文] 作者：游恒果, 蔡道民,,
来源：电子制作 年份：2018
InGaP/GaAsHBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器，本文基于自主HBT工艺技术，借助GaAsMMIC和辅助PCB板外匹配架构，通过选择合适的器件...
[期刊论文] 作者：邬佳晟, 蔡道民,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2023
基于0.25μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺，根据有源器件的Gmax和输出功率密度，选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗；采用三级放大器，其栅宽比为1:4:16，实现高功率增益和高效率；利用等Q匹配技术，把偏置电路融入匹配电路中，实现简单、低损耗和宽带阻抗变换；......
[期刊论文] 作者：严评,蔡道民,李明磊,
来源：中国新技术新产品 年份：2016
基于Ga As E-PHEMT工艺,采用负反馈和宽带有耗匹配技术,实现宽带、高线性MMIC放大器芯片;基于多层陶瓷工艺,制作密封性好、可靠性高的封装外壳。结合二者,基于多物理场联合设...
[期刊论文] 作者：刘帅, 蔡道民, 武继斌,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2019
基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标...
[期刊论文] 作者：魏碧华,蔡道民,武继斌,,
来源：半导体技术 年份：2017
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级...
[期刊论文] 作者：张磊,蔡道民,银军,谭仁超,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2019
基于0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管技术(GaN HEMT),研制了一款5G毫米波通信用高线性单片集成功率放大器。通过优化材料结构,使器件在较宽的栅压动态范围内具有较为平坦的...
[期刊论文] 作者：尹顺政,李献杰,蔡道民,刘波,冯志宏,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.6V,零偏动态电阻约为1012～1013Ω；常温下,该器件在10 V反向偏压下的暗......
[会议论文] 作者：蔡道民,李献杰,赵永林,曾庆明,刘跳,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1...
[期刊论文] 作者：蔡道民,李献杰,赵永林,曾庆明,刘跳,郝跃,,
来源：半导体技术 年份：2009
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管（SHBT）技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在Ic=10mA,...
[期刊论文] 作者：蔡道民,李献杰,赵永林,刘跳,高向芝,郝跃,,
来源：半导体技术 年份：2011
InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结...
[期刊论文] 作者：董毅敏, 蔡道民, 高学邦, 邬佳晟, 汪江涛, 谭仁超,,
来源：半导体技术 年份：2004
研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功...
[会议论文] 作者：李献杰, 齐利芳, 赵永林, 尹顺政, 蔡道民, 过帆,,
来源： 年份：2010
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上依次生长宽带隙半导体n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层、n+GaN发射极层,实现了一种n+/i/n+光导型单片集成紫外红外双色...
[期刊论文] 作者：李献杰,蔡道民,赵永林,王全树,周州,曾庆明,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台...
[期刊论文] 作者：蔡道民,李献杰,赵永林,刘跳,林涛,江李,马晓宇,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面研究工作.采用发射极基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT DHBT器件,发射极尺寸为1.5 μm×10 μm的器件小电流直流增益β约25,......
[期刊论文] 作者：赵永林,李献杰,蔡道民,周洲,郭亚娜,韩丽丽,,
来源：红外与激光工程 年份：2006
介绍了 AlGaAs/GaAs 多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在...
[期刊论文] 作者：齐利芳,李献杰,赵永林,蔡道民,尹顺政,高向芝,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
由于半导体环形激光器器件尺寸不再受解理面的限制,结构简单紧凑,容易集成,近年来成为集成光源领域的研究热点之一。采用MOCVD系统外延生长InAlGaAs多量子阱激光器材料,利用B...
[期刊论文] 作者：邵会民,张世林,谢生,李献杰,尹顺正,蔡道民,毛陆虹,,
来源：光电子.激光 年份：2011
利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上生长PIN型AlGaN/GaN外延材料,研制出背照式AlGaN基PIN日盲型紫外探测器,用紫外光谱测试系统和半导体参数测试仪分别测得了器件的光谱响应...
[期刊论文] 作者：李献杰, 赵永林, 齐丽芳, 尹顺政, 蔡道民, 吴传贵, 张万,
来源：半导体技术 年份：2008
...
[期刊论文] 作者：齐利芳,李献杰,赵永林,尹顺政,蔡道民,李宁,甄红楼,熊大元,
来源：微纳电子技术 年份：2009
介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的...
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