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InPInGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
InPInGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
来源 :第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kyzy0082
【摘 要】
:
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台
【作 者】
:
李献杰
蔡道民
赵永林
王全树
周州
曾庆明
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第13研究所(石家庄)
【出 处】
:
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
:
2004年8期
【关键词】
:
自对准工艺
湿法腐蚀
结构设计
基极-发射极
双极晶体管
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从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
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