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[学位论文] 作者：薛军帅,,
来源： 年份：2013
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具有优越输运特性的二维电子气（2DEG）等出色的材......
[期刊论文] 作者：郝跃, 薛军帅, 张进成,,
来源：中国科学:信息科学 年份：2004
由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提...
[会议论文] 作者：薛军帅,张进成,郝跃,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
基于Ⅲ族氮化物材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)成为固态微波功率器件研究的热点,并取得了显著进展.为了提高HEMT器件工作频率,需要缩短器件栅长,并减薄势垒层厚度而保持足够大的栅长与势垒层厚度之比,因此薄势垒异质结材料成为提高器件工作频率的必然选择.......
[期刊论文] 作者：张迪,黄勇,薛军帅,董璐,
来源：科学技术创新 年份：2022
微波光子振荡器(Optoelectronic Oscillator,OEO)应用了光电混合手段,通过光纤储能、延时手段实现频率高精度、高稳定度,普遍优于微波振荡器.针对现有OEO研究较少,本文研究分析OEO的构成以及原理,设计并实现了一个毫米波级OEO系统,通过实验系统证明不同长光纤对......
Comparative study of different properties of GaN films grown on(0001) sapphire using high and low te
[期刊论文] 作者：薛军帅,郝跃,张进成,倪金玉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
Comparative study of high and low temperature AlN interlayers and their roles in the properties of GaN epilayers prepared by means of metal organic chemical vap...
[期刊论文] 作者：薛军帅,张迪,黄勇,杨凯栋,
来源：兵工自动化 年份：2022
针对现有雷达系统效能评估方法系统性的不足,提出层次分析法(analytic hierarchy process,AHP)-可拓云模型效能评估方法,完成对单频段、多频段雷达系统不同模式的效能评估和单型雷达的综合评估.评估结果显示效能评估时同模式多频段雷达效能值高于单频段;综合评......
[期刊论文] 作者：薛军帅,张迪,黄勇,杨凯栋,
来源：科学技术创新 年份：2022
针对综合射频系统多功能一体集成的特点,构建了幅度权重分配和最优频率分配的优化模型,研究了基于混沌粒子群优化算法的系统资源配置策略和程序,在系统频谱调度中实现快速优化计算.结果表明:该算法可有效实现复杂电磁环境下最优频率的决策.......
[期刊论文] 作者：李志明, 郝跃, 张进成, 陈炽, 薛军帅, 常永明, 许晟,
来源：人工晶体学报 年份：2010
在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬...
[期刊论文] 作者：王平亚,张金风,薛军帅,周勇波,张进成,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2011
文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子...
[期刊论文] 作者：李志明, 郝跃, 张进成, 陈炽, 薛军帅, 常永明, 许晟瑞,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
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[期刊论文] 作者：张伟,薛军帅,周晓伟,张月,刘子阳,张进成,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
An AlGaN/GaN superlattice grown on the top of a GaN buffer induces the broadening of the full width at half maximum of (102) and (002) X-ray diffraction rocking...
[会议论文] 作者：薛军帅;郝跃;欧新秀;史林玉;张进成;马晓华;王冲;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子...
[期刊论文] 作者：史林玉,张进城,王昊,薛军帅,欧新秀,付小凡,陈珂,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2010
We study the growth of an InGaN and AlGaN/GaN/InGaN/GaN double heterojunction structure by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD).It is found that the c...
Investigation of trap states in Al_2O_3 InAlN/GaN metal–oxide–semiconductor high-electron-mobility t
[期刊论文] 作者：张鹏,赵胜雷,薛军帅,祝杰杰,马晓华,张进成,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this paper the trapping effects in Al2O3/In0.17Al0.83N/Ga N MOS-HEMT(here, HEMT stands for high electron mobility transistor) are investigated by frequency-d...
[期刊论文] 作者：吕玲,张进成,薛军帅,马晓华,张伟,毕志伟,张月,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) were exposed to 1 MeV neutron irradiation at a neutron fluence of 1 × 10 15 cm 2.The dc characteristics of...
[期刊论文] 作者：全汝岱,张进成,许晟瑞,薛军帅,赵一,宁静,林志宇,任泽阳,郝跃,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
Epitaxial growth of InAlGaN/GaN structures are performed on the c-plane sapphire by pulsed metal organic chemical vapor deposition with different triethylgalliu...
[期刊论文] 作者：马俊彩,张进成,薛军帅,林志宇,刘子扬,薛晓咏,马晓华,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2012
We studied the performance of AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors (DH-HEMTs) with an AlGaN buffer layer,which leads to a higher p...
[期刊论文] 作者：薛晓咏,许晟瑞,张进成,林志宇,马俊彩,刘子扬,薛军帅,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
First-order Raman scatterings of hexagonal GaN layers deposited by the hydride vapour phase epitaxy and by metal-organic chemical vapour deposition on SiC and s...
[期刊论文] 作者：全汝岱,张进成,薛军帅,赵一,宁静,林志宇,张雅超,任泽阳,郝跃,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
GaN-based heterostructures with an InAlGaN/AlGaN composite barrier on sapphire(0001)substrates are grown by a low-pressure metal organic chemical vapor depositi...
[期刊论文] 作者：林志宇,张进成,许晟瑞,吕玲,刘子扬,马俊彩,薛晓咏,薛军帅,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2012
利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的Ga...
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