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[学位论文] 作者：薛正群,
来源：中国科学院大学 年份：2017
随着信息向高容量方向发展，以及单模光纤技术、半导体科学技术、量子物理等的发展，InP基边发射半导体激光器成为光通信中的核心信号发射源。随着人们对信息容易日益提高的需求，......
[期刊论文] 作者：薛正群,
来源：电子世界 年份：2021
本文通过设计和优化InP/InGaAsP外延材料和芯片结构实现高线性掩埋结构(BH) FP激光芯片;通过不同腔长芯片测试结果显示:1200μm为优化腔长,芯片出光功率在400mA电流下超过130...
[期刊论文] 作者：薛正群,
来源：无线互联科技 年份：2021
文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW,增益谱宽超过40 nm,覆盖范围超过1600 nm,芯片水平和垂直发散角分别为16°和18°,芯片可用于宽带及窄线宽光源.......
[期刊论文] 作者：薛正群,王凌华,苏辉,
来源：光子学报 年份：2018
对AlGaInAs多量子阱FP TO-56半导体激光器在不同环境温度、相同发热量下测量出光波长的变化来分析器件波长温度变化系数;并对器件在室温、不同发热功率下的出光波长变化进行...
[期刊论文] 作者：薛正群,王凌华,苏辉,
来源：发光学报 年份：2018
对AlGaInAs多量子阱1300nmFP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相...
[期刊论文] 作者：薛正群,黄生荣,张保平,陈朝,,
来源：物理学报 年份：2010
采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明...
[期刊论文] 作者：薛正群,黄生荣,张保平,陈朝,,
来源：物理学报 年份：2010
对小功率白光GaN基发光二极管(LED)在室温、40℃和70℃下进行温度加速老化寿命实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光学和热学特性进行测量来分析器件的失效机理,着重...
[期刊论文] 作者：訾慧,薛正群,王凌华,林中晞,苏辉,
来源：红外与激光工程 年份：2018
超辐射发光二极管因其宽光谱低抖动的光谱特点以及输出光为非相干光的特性,在光学相干层析成像技术、光处理技术等领域具有重要应用.为获得宽光谱低抖动的超辐射输出光,设计...
[期刊论文] 作者：江璐芸,王凌华,林中晞,薛正群,苏辉,,
来源：中国激光 年份：2016
主要研究了外加光反馈对光纤布拉格光栅外腔半导体窄线宽激光器特性的影响。在研究温度对光纤光栅外腔半导体激光器激射波长影响的基础上,设计了强度可调的外加光反馈系统,并...
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