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[学位论文] 作者：袁晴雯,,
来源：南京邮电大学 年份：2017
本文介绍了横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,LDMOS)的基本结构,对其耐压特性、导通特...
[期刊论文] 作者：袁晴雯,,
来源：安徽教育 年份：2004
汉字是一种工具,一种符号,一种媒体,儿童在生活中处处离不开汉字,处处需要汉字,这种汉字的文化环境是学生认字的好课本。如果我们能通过多种途径,引导小学生顺其自然地认字,...
[期刊论文] 作者：陈旭东, 成建兵, 郭厚东, 滕国兵, 周骏, 袁晴雯,,
来源：微电子学 年份：2017
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通...
[期刊论文] 作者：袁晴雯,成建兵,周骏,陈珊珊,吴宇芳,王勃,,
来源：微电子学 年份：2017
提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱...
[期刊论文] 作者：周骏,成建兵,袁晴雯,陈珊珊,吴宇芳,王勃,,
来源：微电子学 年份：2017
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可...
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