搜索筛选:
搜索耗时1.8923秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 14 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：覃文治,
来源： 年份：2005
薄膜太阳电池的研究及其应用是当今光伏领域的热点。CdTe多晶薄膜太阳电池作为一种吸收率高、低成本的太阳电池,受到了广泛的注意。在CdTe太阳电池的制备过程中存在的最主要问题是:很难在p-CdTe上获得一稳定低电阻的欧姆接触。为了解决这个问题,在镀上金属电极......
[期刊论文] 作者：何古珍, 覃文治,
来源：人民法治 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：石柱,何伟,覃文治,向秋澄,,
来源：红外与激光工程 年份：2010
介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器。这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一...
[期刊论文] 作者：纪应军,石柱,覃文治,代千,冯万鹏,胡俊杰,,
来源：红外与激光工程 年份：2015
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法。分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与...
[期刊论文] 作者：李潇,石柱,代千,覃文治,寇先果,袁鎏,刘期斌,黄海华,
来源：红外与激光工程 年份：2018
针对900~1700 nm波长无扫描激光三维成像雷达的需求,研制了一种规模为64×64的线性模式雪崩焦平面阵列(LM-APD-FPA),它由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与CMOS专用读出电路(AS...
[期刊论文] 作者：石柱,代千,宋海智,谢和平,覃文治,邓杰,柯尊贵,孔繁林,
来源：红外与激光工程 年份：2017
通过对InGaAsP/InP 单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGaAs(x...
[期刊论文] 作者：张伟,徐强,谢修敏,邓杰,覃文治,胡卫英,陈剑,宋海智,
来源：激光技术 年份：2021
基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳...
[期刊论文] 作者：覃文治,郑家贵,蔡伟,冯良桓,蔡亚平,张静全,李卫,黎兵,武,
来源：材料科学与工程学报 年份：2005
在镀上金属电极前,对CdTe表面进行化学蚀刻是制备高效率碲化镉薄膜太阳电池的关键技术之一.本实验用Br2-甲醇对热处理后的CdTe薄膜进行蚀刻,并利用XRD、AFM研究其结构、成分...
[期刊论文] 作者：覃文治,郑家贵,李卫,蔡伟,冯良桓,蔡亚平,黎兵,张静全,武,
来源：功能材料与器件学报 年份：2005
为了提高 CdTe太阳电池的背接触性能,用共蒸发法制备了 ZnTe:Cu和 Cd1- xZnxTe多晶薄膜. 研究结果表明: Cd1- xZnxTe多晶薄膜的能隙与锌含量呈二次方关系, ZnTe:Cu多晶薄膜能...
[期刊论文] 作者：覃文治,郑家贵,蔡伟,冯良桓,蔡亚平,张静全,李卫,黎兵,武,
来源：材料科学与工程学报 年份：2004
在镀上金属电极前,对CdTe表面进行化学蚀刻是制备高效率碲化镉薄膜太阳电池的关键技术之一.本实验用Br2-甲醇对热处理后的CdTe薄膜进行蚀刻,并利用XRD、AFM研究其结构、成分...
[期刊论文] 作者：覃文治,郑家贵,李卫,蔡伟,冯良桓,蔡亚平,黎兵,张静全,武,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
为了提高 CdTe太阳电池的背接触性能,用共蒸发法制备了 ZnTe:Cu和 Cd1- xZnxTe多晶薄膜. 研究结果表明: Cd1- xZnxTe多晶薄膜的能隙与锌含量呈二次方关系, ZnTe:Cu多晶薄膜能...
[会议论文] 作者：岳磊,蔡伟,张静全,蔡亚平,郑家贵,冯良桓,覃文治,李杨华,
来源：第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 年份：2004
研究声光调Q 的Nd:YAG激光对碲化镉薄膜的刻划过程，得出了刻槽形貌随脉冲重复频率、灯电流大小和刻划速率变化的规律。...
[会议论文] 作者：覃文治,李阳华,岳磊,郑华靖,郑家贵,张静全,蔡伟,冯良桓,蔡亚平,李卫,黎兵,武莉莉,
来源：第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 年份：2004
为了获得稳定高效的碲化镉太阳电池,在镀上金属电极前对碲化镉薄膜进行化学腐蚀是很重要的。分别用溴甲醇、硝酸-磷酸混合液对碲化镉薄膜腐蚀，用XRD、SEM 表征薄膜结构、成分，...
[会议论文] 作者：李杨华,黎兵,夏庚培,岳磊,覃文治,蔡伟,冯良桓,郑家贵,鄢强,武莉莉,张静全,蔡亚平,李卫,
来源：第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 年份：2004
从理论上分析了CdS/CdTe/Au 器件的Roll over 和Cross over 现象。通过对比有无插入层的CdTe 太阳电池在C-V特性， I-V特性，光谱响应的不同，肯定了插入层对改善背接触特性的作用；...
相关搜索：
