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[期刊论文] 作者：伊藤清男,角南英夫,孙伯祥,李家升,
来源：微电子学 年份：2004
大容量MOS动态RAM的进展显著。促进这种进展的基本技术之一是单管单元。存储单元的设计左右着存储器芯片的整个设计。根据字线和数据线(位线)的结构,可以将在16K位阶段中已成...
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