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[期刊论文] 作者：邓锐,余小江,潘海斌,徐法强,许保宗,徐彭寿,
来源：核技术 年份：2002
了适应同步辐射应用技术发展的需要 ,我们对合肥国家同步辐射实验室 (NSRL)光电子能谱站的数据采集和控制系统的硬件和软件进行了改造 ,取得了预期的效果。硬件系统方面 ,增加了一组多功能卡 ,更换了马达控制器 ,增加了光子能量反馈系统 ;与之相应的软件得以重......
[期刊论文] 作者：郭红志,张发培,潘海斌,孙玉明,许保宗,徐彭寿,
来源：真空科学与技术 年份：2000
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (...
[期刊论文] 作者：孙玉明,徐彭寿,徐法强,陆尔东,张发培,潘海滨,许保宗,张新,
来源：真空科学与技术 年份：1999
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Ｇｄ在ＧａＡｓ（１００）表面的吸附。当吸附厚度小于０．４７ｎｍ时，界面反应弱；在０．４７￣０．９ｎｍ范围内，界面反应变得强烈；大于０．９ｎｍ时，界面反应停止。在吸附过程中Ｇｄ４ｆ首先是一单蜂结构，随着Ｇｄ的增加，Ｇｄ４ｆ演变为......
[期刊论文] 作者：孙玉明,徐彭寿,徐法强,陆尔东,张发培,潘海滨,许保宗,张新夷,
来源：真空科学与技术 年份：1999
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界...
[期刊论文] 作者：徐法强,孙玉明,陆尔东,张发培,余小江,潘海斌,许保宗,徐彭寿,张新夷,
来源：化学物理学报 年份：1997
用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在ＧａＡｓ（１００）面制备氧化物超薄膜过程中的氧物种，结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关。较高的氧分压下利于形成活泼的分子离子......
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