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[期刊论文] 作者：沈明荣,许杞安,
来源：功能材料 年份：1999
在低温和常压下，通过电解甲醇和氨水混合溶液，在硅基片上进行沉积掺氮碳膜的尝试，得到了含氮８％的类金刚石薄膜。通过拉曼光谱和Ｘ光电子能谱对样品的测试表明：碳和氮在薄膜中是以ｓｐ＾２和ｓｐ＾３进......
[期刊论文] 作者：沈明荣,许杞安,甘肇强,
来源：功能材料 年份：1999
在低温和常压下，通过电解甲醇和氨水混合溶液，在硅基片上进行沉积掺氮碳膜的尝试，得到了含氮8％的类金刚石薄膜。通过拉曼光谱和X光电子能谱对样品的测试表明：碳和氨在薄膜中是以SP......
[期刊论文] 作者：李文石,唐璞山,许杞安,章焱,
来源：微电子学 年份：2004
基于Elmore模型,优化分析了N级二维CMOS传输门链和N门三维双栅SOI IC的时间延迟,给出了HSPICE模拟结果.研究表明,由相同尺寸管子构成的N级二维CMOS门链,当把N级分作每3级为一...
[期刊论文] 作者：许杞安,沈明荣,宁兆元,朱警生,
来源：物理学报 年份：1999
在６０℃和常压下，电解甲醇和脲的混合溶液在硅基片上沉积ＣＮｘ薄膜．傅里叶红外和Ｒａｍａｎ测试表明，所得薄膜是非晶态的，碳和氮主要是以Ｃ—Ｎ，Ｃ—Ｃ，ＣＣ和ＣＮ的形式成键，有少量的碳和氮以ＣＮ的形式成键．Ｘ射线光电子能谱......
[期刊论文] 作者：张英韬,朱治华,范晓梅,毛盼,宋彬,许杞安,吴铁将,陈睿科,王耀,刘俊杰,
来源：微电子学 年份：2022
提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR).在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管.因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径.Sentaurus TCAD仿真结果表明,该器件的触发电压从传统器件的......
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