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[学位论文] 作者：谭犇,,
来源：电子科技大学 年份：2019
碳化硅(SiC)器件由于具有高压大电流、高频低功耗等优势,显著推动了电力设备高效低能耗及轻量小型化的发展,从而备受关注。尤其在超高压应用领域,碳化硅器件可以替代传统硅(Si)器件,并且无需复杂的串并联结构,减少了系统元器件数目,简化了电路拓扑结构,提高了电......
[期刊论文] 作者：谭犇,
来源：广西电力技术 年份：2000
为使无人值守变电站能可靠运行，就变电站设计中的选点、一次和二次设备选择、控制和通信方式以及管理功能的设置等提出自己的看法和建议。...
[期刊论文] 作者：谭犇,
来源：小作家报·教研博览 年份：2020
摘要：面对新课程教育改革，教师必须树立终身学习的意识，学习多种教学方法，并将其应用于日常教育。小学低年级学生基础知识薄弱，因此教师不仅应注意教授基础知识，还应锻炼学生的思维和分析能力，为他们未来的学习和成长奠定基础。在此基础上，本文从多个角度分析和研究如何......
[期刊论文] 作者：谭犇,玉洪,,
来源：广西电业 年份：2009
随着农电体制改革和发展,县级供电企业历经县级国有企业、代管国有企业和现行的整体上划子公司国有企业的农电体制改革历程,企业进入快速发展的态势,突出体现在电网建设、企...
[期刊论文] 作者：宋瓘,白云,顾航,陈宏,谭犇,杜丽霞,
来源：电工电能新技术 年份：2018
提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注入,以降低器件的比导通电阻,提高器件的电流...
[期刊论文] 作者：邓小川,谭犇,万殊燕,吴昊,杨霏,张波,,
来源：智能电网 年份：2017
碳化硅(SiC)作为近年来备受关注的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等良好的物理和电学特性。宽禁带半导体SiC电力电子器...
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