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[会议论文] 作者：王勇,费圭甫,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：刘理天,谢会开,费圭甫,
来源：仪表技术与传感器 年份：1994
本文介绍了用于测量微小压力或流速的硅杯型集成传感器。它将敏感元件与信号放大电路以及恒流供电电路都集成在同一芯片内,实现了硅杯型压力传感器的单片集成。该集成传感器...
[期刊论文] 作者：孙曦庆,李志坚,费圭甫,
来源：半导体学报 年份：1993
本文提出了一种新型的多晶硅梁微静电开关结构,并在考虑硅梁固定边张力的情况下对多晶硅梁的受力弯曲、静电吸合等情形进行了有效的静力学理论分析。 利用微静电开关的充电吸...
[期刊论文] 作者：孙曦庆,李志坚,费圭甫,刘理天,
来源：半导体学报 年份：1993
本文介绍一种结构改进了的硅基微静电马达。通过在微马达转子下面集成光伏器件实现了对马达转速的片内检测,这对于实现转速自动控制和制作各种传感器有重大意义。利用复合膜...
[期刊论文] 作者：徐葭生,张宗铭,费圭甫,陈志良,
来源：清华大学学报(自然科学版) 年份：1987
为研制 ＶＬＳＩ１６Ｋ－ＳＲＡＭ，开发了一种 ３μＮＭＯＳ双层多晶工艺。对整个工艺流程以及主要的工艺问题进行了广泛的研究。某些技术难点，例如窄沟效应，浅结欧姆接触，栅氧化层质量等，得到解决。实验证明，这套工艺......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,王纪民,蒋志,王勇,费圭甫,
来源：微电子学 年份：1996
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,王纪民,蒋志,王勇,费圭甫,
来源：微电子学 年份：1996
采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求，满足了Ｅ２ＰＲＯＭ研制的需......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,王纪民,蒋志,费圭甫,王美荣,乔忠林,
来源：微电子学 年份：1996
在ＥＥＰＲＯＭ的研制中，为了研究掺砷多晶硅与单晶硅氧化的相对关系，进行了８００℃湿氧氧化和１０００℃干氧氧化实验。结果表明，经过工艺优化，选择适当的工艺方案，获得了较理想的多晶硅与单晶硅氧化速率比......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,王纪民,蒋志,费圭甫,王美荣,乔忠林,
来源：微电子学 年份：1996
隧道小孔中超薄ＳＩＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ艺模拟程序对超薄ＳＩＯ２的热生长进行了工艺模拟。经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳＩＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳＩＯ２性能良好，完全......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,王纪民,蒋志,王勇,费圭甫,王美荣,乔忠林,
来源：微电子学 年份：1996
ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场区杂质浓度。通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策：首先根据Ｐ－Ｎ结击穿电压的要求确定......
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