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[学位论文] 作者：费武雄,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2010
随着空间技术的发展，越来越多的电子系统需要在各种辐射环境中应用。这些航天系统使用了大量的双极线性集成电路用来完成模拟功能。为了提高航天系统的抗辐射能力，延长其使用寿......
[期刊论文] 作者：王文双,费武雄,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2012
空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素，是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准。阐述TMOS的辐照试验流程，并对其中包含的......
[期刊论文] 作者：蒋利田,费武雄,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2018
介绍了一种通过计算机、测试程序、DAQ卡和测试板等,实现对多路I/F变换器进行自动测试的方法。与常规的手工测试方式相比,该方法具有更快的测试效率、更好的测试一致性,尤其...
[期刊论文] 作者：王文双，费武雄，WANGWen-shuang，FEIWu-xiong,
来源：城市道桥与防洪 年份：2012
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,陈睿,费武雄,,
来源：核技术 年份：2010
对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大...
[期刊论文] 作者：余永涛,陈毓彬,水春生,王小强,冯发明,费武雄,
来源：航天器环境工程 年份：2018
针对宇航用大容量SRAM器件抗单粒子效应性能的试验评估需要,利用重离子加速器对抗辐射加固32 M Bulk CMOS工艺SRAM和16 M SOI CMOS工艺SRAM进行了单粒子效应模拟试验研究,获...
[会议论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,陈睿,费武雄,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
对分别处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器进行了高低剂量率辐照.所获得的实验结果表明,工作状态影响着JFET 运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量......
[期刊论文] 作者：王义元,陆妩,任迪远,郑玉展,高博,陈睿,费武雄,,
来源：原子能科学技术 年份：2011
在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器（CFA）进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器......
[期刊论文] 作者：崔江维, 余学峰, 刘刚, 李茂顺, 兰博, 赵云, 费武雄,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
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Dose-rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors at various biasing
[期刊论文] 作者：兰博,郭旗,孙静,崔江维,李茂顺,陈睿,费武雄,赵云,,
来源：半导体学报 年份：2010
The total-dose response and annealing effect of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors (PMOSFETs) were investigated at various dose rates...
[期刊论文] 作者：兰博,郭旗,孙静,崔江维,李茂顺,费武雄,陈睿,赵云,,
来源：核技术 年份：2010
对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照...
[期刊论文] 作者：崔江维,余学峰,刘刚,李茂顺,兰博,赵云,费武雄,陈睿,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET^60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明：辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,...
[期刊论文] 作者：卢向军,王晓晗,罗宏伟,王小强,费武雄,孙宇,吕宏峰,刘焱,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2015
从直接数字式频率合成器（DDS）的结构出发,对DDS器件的时钟产生单元、相位累加与相位幅度转换器和数模转换器进行了总剂量效应、单粒子效应的敏感性分析。分析认为：辐照前后DDS输......
[期刊论文] 作者：崔江维,余学峰,刘刚,李茂顺,高博,兰博,赵云,费武雄,陈睿,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺...
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,刘艳,杨进军,卫平强,兰博,崔江维,费武雄,李,
来源：原子能科学技术 年份：2011
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出一种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计。实验结果表明：剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,...
[期刊论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2011
对10位CMOS模数转换器ADC7910的^60Coγ射线的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果显示：模数混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有明显区别,在高剂量率辐照下的损...
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,刘艳,杨进军,卫平强,兰博,崔江维,费武雄,李,
来源：原子能科学技术 年份：2004
使用丙烯酞胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出-种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计.实验结果表明:剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,得...
[会议论文] 作者：陈睿,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,陆妩,任迪远,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加...
[会议论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.......
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,郭旗,卫平强,兰博,崔江维,李茂顺,费武雄,陈,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂、甲醛和琼脂糖等，在常氧条件下制备出四种不同配比的聚合物凝胶剂量计。根据U型管两端水平液面恒等原理，在32℃和60℃下比对筛选出具有较......
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