搜索筛选:
搜索耗时1.3203秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 20 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：贺德洪,,
来源：新会计 年份：2011
所谓责任成本管理，就是将直接发生成本和费用的各生产单位或业务部门划分成若干个责任中心，然后根据各中心的责任范围，编制各中心的责任预算，并采取合同的形式逐级进行承包的管理......
[期刊论文] 作者：贺德洪,,
来源：新会计 年份：2012
现代酒店是一个集住宿、餐饮、娱乐、购物于一体的综合性、多元化服务企业,具有营业部门多、现金收入多、财产物资分散等特点。酒店的服务又具有无形性、不可存储性、差...
[期刊论文] 作者：贺德洪,桂力敏,
来源：理化检验(物理分册) 年份：1994
对局部蒸镍的镀金管座做了二种不同钎焊温度的样品试验.通过样品的键合强度测试和AES分析,证实了高温钎焊工艺造成的Ni表面氧的富集影响了Ni-Al金属间的超声键合强度。...
[期刊论文] 作者：贺德洪,桂力敏,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
采用局部定域的蒸镍技术能较大幅度地提高镀金层质量差的管座的超声键合强度，使键合强度高于中国军标和美军军标所规定的指标。...
[期刊论文] 作者：贺德洪,张蓓榕,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1997
...
[期刊论文] 作者：何江红,贺德洪,
来源：微电子学与计算机 年份：1996
本文采用ＰＣＴ试验方法ＳＤ１３００５型ＮＰＮ高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验，发现ＢＶｃｅ０是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器个可靠性指标数据处理计算机软件》对试验数据进行统计......
[会议论文] 作者：何江红,贺德洪,
来源：第七届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1997
该文测定了由十二种不同成膜工艺所制备的金属薄膜（Ａｌ膜及Ａｌ－１℅Ｓｉ膜）在不同温度（Ｔ）下的薄层电阻（Ｒｓ）值（Ｔ的范围：２９３Ｋ→１５Ｋ）及其电迁移中位寿命ＭＴＴＦ，并对成膜工艺进行了评价。数据分析表明：各金属薄膜的Ｒｓ～Ｔ关系表现......
[会议论文] 作者：贺德洪,桂力敏,
来源：中国电子学会可靠性分会第七届学术年会 年份：1994
...
[会议论文] 作者：贺德洪,桂力敏,
来源：第四届SMT/SMD学术研讨会 年份：1997
该文采用称重法和功能测试法，对六反相器４０６９的五种ＳＯＩＣ产品的含湿量和功能参数作了测定、例举了其中一种样品的模拟再流、吸潮等试验，以阐述ＳＭＤ的含湿量开裂值极限与裂每逢缝产生可能的相......
[期刊论文] 作者：林英,贺德洪,桂力敏,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1993
体硅CMOS IC内不可避免地存在着寄生pnpn四层结构,在一定条件下,导致器件闭锁失效.本文结合专门用于研究CMOSIC内锁定的微电子测试图形,对以设计、工艺制备的一系列组合测试...
[会议论文] 作者：桂力敏,贺德洪,陈康民,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第五届学术年会 年份：1990
...
[期刊论文] 作者：华剑萍,贺德洪,桂力敏,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文介绍了采用直流表面电导技术非破坏性地测量密封管壳内水汽含量的方法、原理及其测量结果,并介绍了采用该技术对工厂密封器件的水汽含量所进行的评估....
[期刊论文] 作者：何江红,贺德洪,桂力敏,
来源：微电子学与计算机 年份：1996
本文采用ＰＣＴ试验方法ＳＤ１３００５型ＮＰＮ高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验，发现ＢＶｃｅ０是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器件可靠性指标数据处理计算机软件》对试验数据进行统计......
[期刊论文] 作者：赖宗声,蔡彦,郑学军,贺德洪,郑筱莉,
来源：传感器技术 年份：2001
研制了一种无触点的十字形两维集成垂直霍尔器件 ,它对平行于芯片表面的磁场敏感。当与被测转角θ的物件轴向相连的径向永久磁铁转动时 ,传感器给出了相对于被测角度的两种信号电压 ,通过接口电路和PC机组成的非接触式测量系统把信号转换为转角θ。测试结果表明......
[期刊论文] 作者：赖宗声,蔡彦,景圳,贺德洪,郑筱莉,
来源：传感技术学报 年份：2001
本文研制了一种无触点的十字型两维集成垂直霍尔器件 ,它对平行于芯片表面的磁场敏感 .当与被测转角 α的物件轴向相固连的径向永久磁铁转动时 ,平行于芯片表面的磁场分量 Bx、By大小将发生相对变化 ,以致集成的两对霍尔板输出电量也产生相应地变化 .这时传感器......
[期刊论文] 作者：贺德洪,张蓓榕,范焕章,孙莉,桂为敏,
来源：华东师范大学学报(自然科学版) 年份：1997
0引言随着电子器件的发展，IC集成度越来越高，按等比例缩小的原则，线条越来越细，电子器件互连金属薄膜的线条所承受的电流密度就越来越大，金属薄膜的电迁移失效又成为WHI迫切需要解......
[期刊论文] 作者：范焕章,王刚宁,张蓓榕,贺德洪,桂力敏,
来源：华东师范大学学报(自然科学版) 年份：1998
本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大。差别起因于脉冲低电......
[期刊论文] 作者：桂力敏,范焕章,张蓓榕,汪宗禹,贺德洪,汤世豪,,
来源：华东师范大学学报(自然科学版) 年份：1988
本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构...
[期刊论文] 作者：桂力敏,贺德洪,丁瑞军,董胜强,谢嘉慧,陈承,陈康民,陈谷平,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1992
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于...
[期刊论文] 作者：桂力敏,贺德洪,丁瑞军,董胜强,谢嘉慧,陈承,陈康民,陈谷平,徐士美,,
来源：华东师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于...
相关搜索：
