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[期刊论文] 作者：赵普琴,
来源：原子与分子物理学报 年份：2006
采用反胶束法，合成了硅土包裹的掺有不同浓度的Mn^2＋的CdS纳米颗粒．高分辨电镜表明这些颗粒的直径小于5nm．仅仅改变Mn^2＋的掺杂浓度，研究了这些颗粒的光致发光谱和光致发光激发谱，结......
[学位论文] 作者：赵普琴,
来源：北京师范大学 年份：2000
该文对LPE片中各层厚度和浓度进行了优化.关于p型层厚度的优化,计算结果与实验结果符合较好.对p-n2-n1结构中的n2-n1结进行了定量计算,在对结区空间电荷 分布进行分析的基础...
[学位论文] 作者：赵普琴,
来源：南京大学 年份：2007
CdS是一种典型的Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物，是一种直接带隙半导体材料，室温下带隙约为2.42 eV，具有优异的光电转换特性和发光性能，是一种良好的光电材料，具有广泛的应用前景。由于量子......
[期刊论文] 作者：赵普琴, 薛洪涛,,
来源：大学物理实验 年份：2008
本文主要介绍利用激光干涉来测量透明薄片厚度的原理。...
[期刊论文] 作者：赵普琴,薛洪涛,,
来源：实验科学与技术 年份：2013
介绍了半导体制冷片的基本结构，基于半导体制冷片和单片机设计了热电偶温度特性研究实验，设计完成了温度特性研究系统的硬件电路和软件构造，探讨了单片机和半导体制冷片在物理实......
[期刊论文] 作者：薛洪涛,赵普琴,
来源：原子与分子物理学报 年份：2007
采用反胶束法，在常温和低温下（接近零度）合成了硅土包裹的CdS纳米颗粒．高分辨电镜表明常温下合成的颗粒呈现直径小于5nm的球形，而在低温下出现了短棒形和长达微米量级的线形．通过对......
[期刊论文] 作者：薛洪涛,赵普琴,,
来源：科技信息 年份：2011
本文分析了目前现代物理实验教学中在培养学生创新能力方面的不足,针对现有的问题,简单的介绍了虚拟仪器的构成,探讨了把虚拟仪器和大学物理实验结合起来的优势及其必要性。...
[期刊论文] 作者：赵普琴,薛洪涛,
来源：原子与分子物理学报 年份：2004
采用反胶束法,合成了硅土包裹的Mn~(2+)+掺杂的CdS纳米颗粒.利用高分辨透射电镜(HRTEM)和电子自旋共振谱 (EPR) 对这些纳米颗粒的结构进行了表征.利用超导量子干涉磁力计(SQU...
[期刊论文] 作者：赵普琴,薛洪涛,,
来源：原子与分子物理学报 年份：2012
采用反胶束法,合成了具有不同尺寸的CdS纳米颗粒.利用透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HR-TEM)以及紫外-可见光吸收谱(UV/vis)对这些纳米颗粒的结构特性进行了表征和分析.利用...
[会议论文] 作者：赵普琴,杨锡震,
来源：第七届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2000
根据载流子分布的连续性，由泊松方程自洽求解，得出了半导体nn结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n区内的电位降，计算了商用发光二极管P-nn结构的势垒分布。...
[期刊论文] 作者：赵普琴,李先科,薛洪涛,,
来源：原子与分子物理学报 年份：2020
用一步水热法合成多孔的爆米花形状的由还原石墨烯包裹的FeS纳米颗粒,该复合颗粒作为钠离子电池阳极使用.多孔结构因为大的表面积有助于该复合物展现出优越的循环稳定性和速...
[期刊论文] 作者：赵普琴,杨锡震,薛洪涛,
来源：液晶与显示 年份：2002
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),j...
[期刊论文] 作者：赵普琴,杨锡震,李桂英,王亚非,
来源：液晶与显示 年份：2001
GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性，由泊松方程自洽求解，得出了半导体n--n结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n-区内的电位降，......
[期刊论文] 作者：李桂英,杨锡震,王亚非,李永良,赵普琴,孙寅官,
来源：发光学报 年份：1999
实测数据表明：ＧａＰＮ发光二极管（ＬＥＤ）ｐ型层厚度ｄ为１２～１７μｍ时，管芯光强最高．ｄ增大，一方面可使表面复合的影响减小，提高内量子效率；另一方面又会使内吸收增大，降低抽取效率．综合考虑这两方面的影响，选取有关......
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