搜索筛选:
搜索耗时1.7643秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 13 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者:路忠林,
来源:青海教育 年份:1995
爱国主义教育点滴谈路忠林学校教育的根本目的是培养有理想、有道德、有文化、有纪律的社会主义建设者和接班人,爱国主义教育在实现这一培养目标中起着导向、动力、保证的作用......
[学位论文] 作者:路忠林,
来源:南京大学 年份:2007
自1988年巨磁电阻效应(GMR)发现以来,人们发现传统电子学仅仅利用了电子的电荷这个自由度,而进一步集成和利用电子的自旋这个自由度可以大大增强和扩展目前传统电子学器件的功...
[期刊论文] 作者:姜丽丽, 路忠林, 张凤鸣, 鲁雄,,
来源:物理学报 年份:2004
本文针对低少子寿命铸造多晶硅片进行试验,通过一种将多温度梯度磷扩散吸杂工艺与低温退火工艺结合的新型低温退火吸杂工艺,去除低少子寿命多晶硅片中影响其电性能的Fe杂质及...
[期刊论文] 作者:梁自禄,路忠林,王学花,崔志刚,,
来源:现代涂料与涂装 年份:2012
风机叶片需要在不同的环境中工作,温暖湿润的环境容易导致叶片表面污染。叶片表面的污染往往导致叶片的发电能力降低。通过分析温湿环境对叶片表面的影响,对多种叶片涂料体系...
[期刊论文] 作者:路忠林,邹文琴,徐明祥,张凤鸣,,
来源:物理学报 年份:2004
采用分子束外延技术分别在不同晶面的蓝宝石(sapphire Al2O3)基片上制备了沿c轴生长的Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜.发现在Al2O3(1120)晶面(a面)上薄膜是二维层状外延生长的...
Structural and electrical properties of single crystalline and bi-crystalline ZnO thin films grown b
[期刊论文] 作者:路忠林,邹文琴,徐明祥,张凤鸣,,
来源:Chinese Physics B 年份:2004
C-oriented ZnO epitaxial thin films are grown separately on the a-plane and c-plane sapphire substrates by using a molecular-beam epitaxy technique.In contrast...
[期刊论文] 作者:刘兴翀,陆智海,路忠林,张凤鸣,都有为,,
来源:物理学报 年份:2008
利用磁控溅射和快速热处理的方法制备了Mn,B共掺的多晶硅薄膜(Si0.9654Mn0.0346:B).磁性和结构研究发现薄膜有两个铁磁相.低温铁磁相来源于杂相Mn4Si7,高温铁磁相(居里温度TC...
[期刊论文] 作者:邹文琴,路忠林,王申,刘圆,陆路,郦莉,张凤鸣,都有为,,
来源:物理学报 年份:2004
使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱;如果进行N离子的共掺杂,就会发现Z...
[期刊论文] 作者:匡安龙,刘兴翀,路忠林,任尚坤,刘存业,张凤鸣,都有为,
来源:物理学报 年份:2004
采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二...
[期刊论文] 作者:彭若莹,席曦,邵剑波,李少敏,刘桂林,路忠林,徐建华,黄智,,
来源:太阳能 年份:2020
金属缠绕穿透(MWT)技术和钝化发射极及背接触(PERC)技术叠加应用可获得较高的硅太阳电池转换效率,且可以降低硅材料的损耗,但不同的背面激光开槽工艺会对电池的电性能产生不...
[期刊论文] 作者:彭若莹,席曦,邵剑波,李少敏,刘桂林,路忠林,徐建华,黄智,张向阳,,
来源:太阳能 年份:2020
金属缠绕穿透(MWT)技术和钝化发射极及背接触(PERC)技术叠加应用可获得较高的硅太阳电池转换效率,且可以降低硅材料的损耗,但不同的背面激光开槽工艺会对电池的电性能产生不...
Effect of hydrogenation time on magnetic and electrical properties of polycrystalline Si_(0.956) Mn_
[期刊论文] 作者:刘兴翀,陆智海,林应斌,王剑峰,路忠林,吕丽娅,张凤鸣,都有为,,
来源:Chinese Physics B 年份:2004
This paper reports that polycrystalline Si 0.956 Mn 0.044 :B films have been prepared by cosputtering deposition followed by rapid thermal annealing for crystal...
[期刊论文] 作者:严国清,谢凯旋,莫仲荣,路忠林,邹文琴,王申,岳凤娟,吴镝,张凤鸣,都有为,,
来源:物理学报 年份:2004
利用共沉淀法并在5vol.%H2/Ar气流中于300℃退火3h,制备了Zn1-xCoxO稀磁半导体.扫描电子微探针分析表明,对Co的名义组分分别为0.05,0.10,0.15的样品,其实际组分分别为x=0.054...
相关搜索: