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[期刊论文] 作者：辛勇,熊传兵,
来源：发光学报 年份：2000
对本实验室用ＭＯＣＶＤ方法生长的未故意掺杂的ＧａＮ单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明，室温时ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽......
[会议论文] 作者：辛勇;熊传兵;,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
ＧａＮ具有直接跃迁的能带结构，室温禁带宽为３．４ｅＶ，且化学稳定性很好，是制作高温、高功率、高光效的光电子器件基材料。自从１９９４年日本Ｎａｋａｍｕｒａ等人率先使用ＧａＮ材料研制高亮度蓝色发光二极管并商品化以来，国......
[期刊论文] 作者：辛勇,熊传兵,彭学新,王立,姚冬敏,李述体,江风益,
来源：发光学报 年份：2000
对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究.结果表明, 室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系.高补偿的GaN的X射...
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