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[会议论文] 作者：连延杰,李泽宏,谭开洲,刘勇,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
分析了非均匀沟道MNOS结构器件总剂量辐射效应，建立了MNOS的总剂量辐射阈值电压变化公式。辐射情况下，分析不同的二氧化硅厚度对非均匀沟道MNOS结构阈值电压的影响。结果表...
[会议论文] 作者：吴博,钱梦亮,连延杰,李泽宏,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表明，在相同的元胞尺寸下，该结构的导通电阻、反......
[会议论文] 作者：吴博,李泽宏,钱梦亮,连延杰,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表明，在相同的元胞尺寸下，该结构的导通电阻、反向恢复时间和反向恢复电流都比常规VDMOS结构的小。......
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