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[学位论文] 作者：连永昌,,
来源：西安电子科技大学 年份：2014
由于应变Si材料的能带可调，载流子迁移率高，生长工艺与当前的硅工艺兼容，因此被应用到当前集成电路的制造工艺中，以提高器件的性能。而集成电路的广泛应用，尤其是在空间环境和核应......
[期刊论文] 作者：龚进,刘文怡,韩惠莲,连永昌,,
来源：化工自动化及仪表 年份：2011
将适用于计算机的Logistic映射混沌加密算法进行改进,使之能够在Atmag16单片机上运行。...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,刘翔宇,连永昌,张鹤鸣,宋建军,宣荣喜,舒斌,,
来源：物理学报 年份：2014
分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程,揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律,建立了总...
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