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[期刊论文] 作者：余连杰,邓功荣,苏玉辉,
来源：红外技术 年份：2012
HgCdTe、QWIP和InAs／GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选。主要对比分析了HgCdTe和InAs／GaSbⅡ类超晶格红外探测器，InAs／GaSbⅡ类超晶格具有响应波段宽且精确可...
[期刊论文] 作者：邓功荣,史衍丽,余连杰,何雯瑾,,
来源：红外技术 年份：2011
量子点红外探测器（QDIP）理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前，研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器（DWELL......
[期刊论文] 作者：史衍丽,郭骞,李龙,邓功荣,杨绍培,范明国,刘文波,,
来源：红外与激光工程 年份：2015
由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7μm,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47A...
[期刊论文] 作者：史衍丽, 胡锐, 张卫锋, 冯云祥, 邓功荣, 褚祝军, 李,
来源：红外技术 年份：2014
InGaAs器件具有光谱响应宽、量子效率高、响应速度快、数字化读出、高温工作、可靠性好以及寿命长等优点,符合新一代微光器件的发展需求,在国际上成为固体微光器件的一种新选...
[期刊论文] 作者：余连杰,史衍丽,邓功荣,李雄军,杨丽丽,何雯瑾,,
来源：红外技术 年份：2011
利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞（HgTe）薄膜材料,以He-Ne激光器（hv=1.96 eV,λ=632.8 nm）作为激励光源,在80～300 K温度范围内,研究了非晶态HgTe薄膜的暗电导...
[期刊论文] 作者：苏玉辉,冯江敏,赵维艳,龚晓霞,马启,邓功荣,余连杰,,
来源：红外技术 年份：2017
利用碲镉汞（HgCdTe）体晶材料，采用HgCdTe材料拼接技术、磨抛技术等成熟的探测器芯片制备工艺以及三级热电制冷技术，设计并研制出了热电制冷型13元HgCdTe中波红外光导探测器。在－50......
[期刊论文] 作者：史衍丽, 胡锐, 张卫锋, 冯云祥, 邓功荣, 褚祝军, 李燕红,
来源：红外技术 年份：2014
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[期刊论文] 作者：张济清,邓功荣,毛文彪,钟昇佑,陈楠,陈浩森,姚立斌,
来源：光学学报 年份：2021
设计了一款64×64面阵规格、片上集成存储器的超高速红外焦平面数字读出集成电路,将其与中波红外焦平面探测器芯片进行了互连,成功研制出超高速64×64中波红外图像传感器。实验结果表明,所研制超高速红外图像传感器的帧频达到1 MHz,存储深度为100帧,对黑体温度......
[会议论文] 作者：史衍丽,何雯瑾,张卫锋,胡锐,邓功荣,徐应强,牛智川,
来源：第10届全国光电技术学术交流会 年份：2012
InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料因为特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率；另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调；通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能.因为以上......
[期刊论文] 作者：邓功荣,赵鹏,袁俊,信思树,龚晓霞,黎秉哲,马启,杨文运,普,
来源：红外技术 年份：2017
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度（HOT）的优势,符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗（SWa P）的要求。目前,......
[会议论文] 作者：余连杰;史衍丽;李雄军;杨丽丽;邓功荣;何雯瑾;莫镜辉;,
来源：2011全国光电子与量子电子学技术大会 年份：2011
利用射频磁控溅射方法，在宝石衬底上制备了非晶态HgCdTe薄膜。对原生非晶态HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火，在80K-300K温度范围内，分别测量了原生和退...
[期刊论文] 作者：陈冬琼,杨文运,邓功荣,龚晓霞,范明国,肖婷婷,尚发兰,余瑞云,
来源：红外技术 年份：2022
InAs1-xSbx属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料，随Sb组分含量的不同，室温下可覆盖3～12μm波长，并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系数大、载流子迁移率高等优点，是一种具有广阔应用前景的红外光电材料。探测器可以在150K甚至近室温下工作，具有较高的灵敏度和探测率，......
[期刊论文] 作者：杨丽丽,王光华,孔金丞,李雄军,孔令德,余连杰,李凡,邓功荣,
来源：红外技术 年份：2011
采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性。实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大；不同靶间距下Hg1-......
[期刊论文] 作者：胡锐,邓功荣,张卫锋,何雯谨,冯江敏,袁俊,莫镜辉,史衍丽,,
来源：红外技术 年份：2014
设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明：理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外,研制了p...
[期刊论文] 作者：史衍丽,胡锐,张卫锋,冯云祥,邓功荣,褚祝军,李燕红,郭骞,,
来源：红外技术 年份：2014
InGaAs器件具有光谱响应宽、量子效率高、响应速度快、数字化读出、高温工作、可靠性好以及寿命长等优点，符合新一代微光器件的发展需求，在国际上成为固体微光器件的一种新选择......
[期刊论文] 作者：马启,邓功荣,苏玉辉,余连杰,信思树,龚晓霞,陈爱萍,赵鹏,,
来源：红外技术 年份：2016
分析了光伏In Sb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61~0.56、响应时间为20~60 ps的锑化铟（In Sb）红外探测器,实验制备了台面p^＋-on-n结构的探测...
[期刊论文] 作者：杨丽丽,王光华,孔金丞,李雄军,孔令德,余连杰,李凡,邓功荣,
来源：红外技术 年份：2004
采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性.实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-...
[期刊论文] 作者：邓功荣,赵鹏,袁俊,信思树,龚晓霞,黎秉哲,马启,杨文运,普朝光,,
来源：红外技术 年份：2017
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗(SWa P)的要求。...
[期刊论文] 作者：史衍丽,何雯瑾,张卫锋,王羽,袁俊,莫境辉,冯江敏,胡锐,邓功荣,
来源：红外与激光工程 年份：2012
...
[会议论文] 作者：史衍丽[1]何雯瑾[1]张卫锋[1]胡锐[1]邓功荣[1]徐应强[2]牛智川[2],
来源：第10届全国光电技术学术交流会 年份：2012
InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料因为特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率；另外,通过调节材料参数调节能带结构,器...
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