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[学位论文] 作者:邱颖斌,, 来源:山东大学 年份:2011
作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有带隙宽,热导率高,化学性质稳定,饱和电子漂移速度大等特点。因此,其可广泛的应用于高亮度发光二极管、蓝光激光器、紫外探测器、大功...
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