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[期刊论文] 作者：龚裕才,邹修庆,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统Ｖ形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统Ｖ形槽介质隔离方法的不足，给出了新的介质隔离方法的工艺路线......
[期刊论文] 作者：刘学如,邹修庆,
来源：微电子学 年份：1991
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文...
[期刊论文] 作者：刘学如,胡泽,邹修庆,
来源：微电子学 年份：2004
本文对硅－硅键合中的关键因素进行了讨论，指出有效的键合必须以良好的原始片平整度、有效的清洗和预键合以及充分的退火处理为基础。在应用方面，对于电阻率为１７Ω·ｃｍ的有源层，得到了......
[会议论文] 作者：毛儒焱;冯建;谈长平;邹修庆;陈洪波;,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
为了适应高可靠和抗核加固集成电路的应用需要,以及满足硅圆片大直径化的需要,采用SDB(Silicon Wafer Direct Bonding)方法,制作出顶层单晶硅厚度大于5μm的SOI结构材料.结合...
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