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[期刊论文] 作者：邹斯洵,李宁,
来源：薄膜科学与技术 年份：1990
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[会议论文] 作者：邹斯洵,李宁,
来源：中国电子学会90年全国第三届MIC电路及工艺会议 年份：1990
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[期刊论文] 作者：邹斯洵,李宁,
来源：半导体技术 年份：1988
本文简单介绍反应离子刻蚀的基本原理和激光干涉在线监控刻蚀的原理,比较了两种不同的反应气体(CF_4、SF_6)系统中polycide膜的刻蚀速率和多晶硅与二氧化硅的刻蚀速率比,实验...
[期刊论文] 作者：陈晓,邹斯洵,周世芳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
一、引言 在MOSFET研究发展中,轻掺杂漏(LDD)MOSFET和自对准MOSFET已越来越引人注目。这两种MOSFET制造中,边墙的形成是关键。如何精确控制边墙宽度是控制轻掺杂漏长度的基...
[期刊论文] 作者：陈峥,汤庭鳌,邹斯洵,
来源：半导体学报 年份：1999
为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行ＲＩＥ的优化工艺条件．在不同的条件下得到对ＰＺＴ的刻蚀......
[期刊论文] 作者：黄宜平,李爱珍,邹斯洵,李金华,竺士炀,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon）技术在n-／n＋／n-衬底上形成的SOI（Sil...
[期刊论文] 作者：黄宜平,李爱珍,蒋美萍,邹斯洵,李金华,竺士炀,
来源：半导体学报 年份：1998
本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于１００ｎｍ、硅岛宽度大于１００μｍ的超薄ＳＯＩ（ＴＦＳＯＩ）结构．用透视电子显微镜剖面分析技术（ＸＴＥＭ）、扩展电阻分析（ＳＲＰ）、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多......
[期刊论文] 作者：邵凯,李炳宗,邹斯洵,黄维宁,吴卫军,房华,於伟峰,姜国宝,俞波,张敏,
来源：半导体学报 年份：1996
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧......
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