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[学位论文] 作者：邹泽亚,,
来源：电子科技大学 年份：2008
宽禁带半导体材料GaN及其三元合金AlGaN,由于其禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在光电子器件,尤其紫外探测器领域有着重要的应用价值。其中探测波段在240-280nm区间(日...
[期刊论文] 作者：姬洪,周勋,邹泽亚,左长明,
来源：功能材料 年份：2007
通过实例介绍运用高分辨X射线衍射分析技术对GaN异质外延薄膜材料的微结构进行研究，希望能获得不同缓冲层生长与优化工艺以及结构模型对其结构特性参数影响方面的信息，为GaN材......
[期刊论文] 作者：曾铮,孙诗,邹泽亚,徐道润,陈春霞,,
来源：半导体光电 年份：2012
设计并实现了一种基于探测器阵列组件的光斑辅助定位系统。该系统以120元Si-PIN探测器作为光电传感器,将其排列为正方形,由120路光电转换电路将每个光电传感器采集到的电流信...
[期刊论文] 作者：张兴,王品红,但伟,曹飞,陈春霞,邹泽亚,李祖安,,
来源：半导体光电 年份：2011
本文用爆裂噪声表征总剂量电离辐射(TID)对光电探测器组件的损伤情况。通过对辐照前后的光电探测器组件进行噪声测试,然后对比分析其结果。实验结果表明,总剂量辐照后,相对于...
[期刊论文] 作者：邹泽亚,杨谟华,刘挺,赵文伯,赵红,罗木昌,王振,,
来源：半导体学报 年份：2008
第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核...
[期刊论文] 作者：邹泽亚,杨谟华,刘挺,赵文伯,赵红,罗木昌,王振,
来源：半导体学报 年份：2008
第一次报道了以高温A1N为模板层的A1GaN基p-i—n背照式日光盲探测器的制作和器件特性，利用MOCVD方法在（0001）面的蓝宝石衬底上生长了探测器的A1xGa--xN多层外延材料．在无需核化层...
[期刊论文] 作者：邹泽亚,刘挺,王振,赵红,赵文伯,罗木昌,杨谟华,
来源：半导体光电 年份：2007
采用MOCVD技术及渐变δ-Mg掺杂方法生长了p型GaN薄膜，对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现，经过950℃下的第一次退火后，样品空穴浓度为1．64×10^16cm^...
[期刊论文] 作者：邹泽亚,刘挺,王振,赵红,赵文伯,罗木昌,杨谟华,
来源：半导体光电 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：邹泽亚,杨谟华,刘挺,赵文伯,赵红,罗木昌,王振,
来源：半导体学报 年份：2004
第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核...
[期刊论文] 作者：赵红, 邹泽亚, 赵文伯, 刘挺, 杨晓波, 廖秀英, 王振,,
来源：半导体学报 年份：2007
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[期刊论文] 作者：刘挺, 邹泽亚, 王振, 赵红, 赵文伯, 罗木昌, 周勋, 杨,
来源：半导体学报 年份：2008
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[期刊论文] 作者：周勋,左长明,邹泽亚,廖秀英,姬洪,罗木昌,刘挺,赵红,
来源：半导体光电 年份：2008
采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN，并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射（HRXRD）对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析，从应变的角度对P型GaN中...
[期刊论文] 作者：周勋,左长明,邹泽亚,廖秀英,姬洪,罗木昌,刘挺,赵红,,
来源：半导体光电 年份：2008
采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型Ga...
[期刊论文] 作者：赵红,邹泽亚,赵文伯,杨晓波,刘挺,廖秀英,王振,周勇,刘万,
来源：半导体光电 年份：2007
采用低温AlN成核层在1180℃温度下在（0001）蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮，晶体质量较好，（0002）X射线衍射回摆...
[期刊论文] 作者：赵红,邹泽亚,赵文伯,刘挺,杨晓波,廖秀英,王振,周勇,刘万,
来源：半导体学报 年份：2007
在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下，采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压，用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平...
[期刊论文] 作者：刘挺,邹泽亚,王振,赵红,赵文伯,罗木昌,周勋,杨晓波,廖秀,
来源：半导体学报 年份：2008
利用低压金属有机物化学气相沉积技术，采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法，分别在氮化镓（GaN）和高温氮化铝（HT-A1N）模板上，生长了P型GaN外延材料．生长后，双晶X射线衍射和霍尔测试结果表......
[期刊论文] 作者：赵红,邹泽亚,赵文伯,杨晓波,刘挺,廖秀英,王振,周勇,刘万,
来源：半导体光电 年份：2004
采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层.Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍...
[期刊论文] 作者：刘挺,邹泽亚,王振,赵红,赵文伯,罗木昌,周勋,杨晓波,廖秀英,,
来源：半导体学报 年份：2008
利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测...
[期刊论文] 作者：赵红,邹泽亚,赵文伯,刘挺,杨晓波,廖秀英,王振,周勇,刘万清,,
来源：半导体学报 年份：2007
在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其...
[期刊论文] 作者：赵文伯,赵红,叶嗣荣,黄烈云,唐遵烈,罗木昌,杨晓波,廖秀英,向勇军,邹泽亚,,
来源：半导体光电 年份：2009
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3.5 V,-0.5 V偏压时暗电流...
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