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[期刊论文] 作者：郑宜均,
来源：微电子学 年份：2004
一、概述为了密切配合离子注入器件应用研究,在工艺尽可能简单、最好不用热扩工艺的思想指导下,我们选择了全离子注入C_4D结构。它是繁多的电荷耦合器件(简称CCD)结构中的一...
[会议论文] 作者：房世林,封晴,郑宜均,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：周春芝, 郑宜均, 马新华, 朱红英, 赵建兴, 南亲良,,
来源：辐射防护 年份：2011
介绍了平面型硅快中子剂量探测器,初步探索了探测器的中子剂量响应与PN结长和结宽的关系。基于239Pu-Be中子辐射实验结果,可以得出探测器电压随中子剂量线性变化的结论。对探...
[期刊论文] 作者：周春芝, 郑宜均, 马新华, 朱红英, 赵建兴, 南亲良, 崔辉,
来源：辐射防护 年份：2011
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