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[期刊论文] 作者:王良,郑庆瑜,
来源:现代仪器 年份:2002
本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。...
[期刊论文] 作者:王良,郑庆瑜,
来源:半导体杂志 年份:1998
测量了7-1000K的掺氮6H-SiC材料基本电学性质,用电子性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合,利用化全物半导体散射机构计算了行 率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂质......
[期刊论文] 作者:王良,郑庆瑜,
来源:半导体杂志 年份:2000
实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失,在低温端TSC谱出现一些新的峰。......
[会议论文] 作者:郑庆瑜,王良,孙毅之,
来源:中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会 年份:1999
介绍热激电流测试方法,并用该方法测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。同时对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。...
[期刊论文] 作者:王良,郑庆瑜,孙毅之,
来源:半导体杂志 年份:1998
测量了7~1000K的掺氮6HSiC材料基本电学性质,用电中性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合,利用化合物半导体散射机构计算了迁移率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂......
[期刊论文] 作者:孙毅之,冯玢,郑庆瑜,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1998
根据剥离霍尔技术的物理基础,分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因,主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明,采用......
[期刊论文] 作者:王良,郑庆瑜,孙毅之,
来源:半导体杂志 年份:2000
实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后 ,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失 ,在低温端TSC谱出现一些新的峰。...
[期刊论文] 作者:张文喜, 郑庆瑜, 郑彩平,,
来源:中国电子科学研究院学报 年份:2014
精确测量低损耗微波材料的复介电常数十分重要。利用带状线法测量微波介质基板常温和变温的复介电常数,得到了高精度的测试结果。结果表明了用带状线法测量低损耗微波介质基...
[期刊论文] 作者:董彦辉,李光平,郑庆瑜,
来源:现代仪器 年份:2005
本文介绍采用X射线荧光法测定硅铝合金中硅含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简便、干扰因素小,且快速、准确等特点。...
[期刊论文] 作者:董彦辉,李光平,郑庆瑜,
来源:现代仪器 年份:2011
本文介绍采用射线荧光法测定蒙脱石中铝含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简单、干扰因素小,且快速、准确等特点。...
[期刊论文] 作者:董彦辉,李光平,郑庆瑜,,
来源:现代仪器 年份:2009
本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺,形成的工艺流程短、效率高,方便获得更好的欧姆接触。...
[期刊论文] 作者:董彦辉,李光平,郑庆瑜,,
来源:现代仪器 年份:2011
本文介绍采用X射线荧光光谱仪在更换X光管后,经过测试及数据处理,可以采用之前X光管测试的样品做标样,然后对新样品进行测试,而不用新的标样,结果表明,该方法定量准确、干扰因素小,......
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