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[期刊论文] 作者：王良,郑庆瑜,
来源：现代仪器 年份：2002
本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。...
[期刊论文] 作者：王良,郑庆瑜,
来源：半导体杂志 年份：1998
测量了７－１０００Ｋ的掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料基本电学性质，用电子性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化全物半导体散射机构计算了行 率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂质......
[期刊论文] 作者：王良,郑庆瑜,
来源：半导体杂志 年份：2000
实验研究了ＳＩ－ＧａＡｓ材料中的ＥＬ２能级光淬灭对ＴＳＣ谱的影响。ＥＬ２能级显著光淬灭后，ＴＳＣ谱发生了明显的变化。一些ＴＳＣ峰的高度明显降低甚至消失，在低温端ＴＳＣ谱出现一些新的峰。......
[会议论文] 作者：郑庆瑜,王良,孙毅之,
来源：中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会 年份：1999
介绍热激电流测试方法，并用该方法测量了ＳＩ－ＧａＡｓ材料的ＴＳＣ特征谱图。同时对ＳＩ－ＧａＡｓ的深能级中心的行为进行了初步的分析。...
[期刊论文] 作者：王良,郑庆瑜,孙毅之,
来源：半导体杂志 年份：1998
测量了７～１０００Ｋ的掺氮６ＨＳｉＣ材料基本电学性质，用电中性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化合物半导体散射机构计算了迁移率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂......
[期刊论文] 作者：孙毅之,冯玢,郑庆瑜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
根据剥离霍尔技术的物理基础，分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因，主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明，采用......
[期刊论文] 作者：王良,郑庆瑜,孙毅之,
来源：半导体杂志 年份：2000
实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后 ,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失 ,在低温端TSC谱出现一些新的峰。...
[期刊论文] 作者：张文喜, 郑庆瑜, 郑彩平,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2014
精确测量低损耗微波材料的复介电常数十分重要。利用带状线法测量微波介质基板常温和变温的复介电常数,得到了高精度的测试结果。结果表明了用带状线法测量低损耗微波介质基...
[期刊论文] 作者：董彦辉,李光平,郑庆瑜,
来源：现代仪器 年份：2005
本文介绍采用X射线荧光法测定硅铝合金中硅含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简便、干扰因素小,且快速、准确等特点。...
[期刊论文] 作者：董彦辉,李光平,郑庆瑜,
来源：现代仪器 年份：2011
本文介绍采用射线荧光法测定蒙脱石中铝含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简单、干扰因素小，且快速、准确等特点。...
[期刊论文] 作者：董彦辉,李光平,郑庆瑜,,
来源：现代仪器 年份：2009
本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺，形成的工艺流程短、效率高，方便获得更好的欧姆接触。...
[期刊论文] 作者：董彦辉,李光平,郑庆瑜,,
来源：现代仪器 年份：2011
本文介绍采用X射线荧光光谱仪在更换X光管后，经过测试及数据处理，可以采用之前X光管测试的样品做标样，然后对新样品进行测试，而不用新的标样，结果表明，该方法定量准确、干扰因素小，......
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