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[期刊论文] 作者：郑茳,,
来源：苏南科技开发 年份：2006
中央提出自主创新的三个方面，即：原始创新、集成创新、引进消化吸收创新，对一个城市而言，三种创新同时并举会有困难。对苏州来说，走引进消化吸收这条路比较合适。...
[期刊论文] 作者：郑茳,
来源：华东政法学院学报 年份：2001
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[会议论文] 作者：郑茳,
来源：中国电子学会电子学科跨世纪优秀人才学术讨论会 年份：1994
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[会议论文] 作者：郑茳,
来源：中国电子学会首届青年学术年会 年份：1995
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[期刊论文] 作者：郑茳玮,,
来源：现代经济信息 年份：2004
近些年,全球金融科技领域发展速度十分迅速,呈现持续性升温的变化趋势,我国正在不断地拥抱金融科技的巨浪。随着金融科技的快速发展以及市场发展环境的日益复杂化和多元化,金...
[期刊论文] 作者：郑茳玮,,
来源：金融经济 年份：2017
传统的金融机构的发展和生存受到了交易成本较低的互联网金融的影响。现在在农村领域也已经有了互联网金融的身影，这主要得益于迅速发展的农村电子商务的功劳，但是这对于农村金......
[期刊论文] 作者：郑茳玮,
来源：时代金融 年份：2020
摘要：消费金融作为一种全新的消费信贷模式，现阶段已经引起国内很大人群的普遍关注与重视，国内专家学者近年来也积极参与到消费金融模式地深入研究过程当中，国内的专家学者以多元化的角度对消费金融发展模式进行充分、深入地阐释，不仅在理论内涵方面进行了深入地创新......
[期刊论文] 作者：郑茳,林慈,
来源：电子科学学刊 年份：1990
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调...
[期刊论文] 作者：郑茳,黄勤,
来源：电子科学学刊 年份：1992
本文介绍了一种新的测定单层LB膜中电荷密度的C-V方法,解决了常规C-V方法的不精确问题。通过对硬脂酸C_(20)H_(40)O_2膜中电荷密度的测定,表明此方法实用可行。...
[期刊论文] 作者：赵宇,郑茳,
来源：电子器件 年份：1993
在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声.到目前为止,一般认为1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落,这二种1/f噪声有不同的表现形式.目前还没有...
[期刊论文] 作者：郑茳,吴金,
来源：电子器件 年份：1991
随着现代电子工业的迅猛发展,高可靠己成为现代武器系统、军用电子设备、航天航空工程和高性能电子整机的基本要求,电子整机、设备和系统要求能够在各种条件下工作,这就...
[期刊论文] 作者：郑茳,黄勤,
来源：低温物理学报 年份：1991
本文提出了低温区硅禁带宽度的精确的温度关系,计算值与实测值的误差小于0.3meV,在此基础上推得了低温区硅本征载流子浓度的简明表达式,计算误差小于3%....
[期刊论文] 作者：郑茳,王曙,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基...
[期刊论文] 作者：郑茳,吴金,
来源：微电子学 年份：1994
本文研究了非晶硅发射区双极晶体管的低温特性，得出了如下结论：低温下电流增益随基区杂质浓度的上升而下降，不同于常规同质结双极晶体管的情况，集电极电流则随基区杂质浓度的上升......
[期刊论文] 作者：郑茳,沈克强,
来源：电子科学学刊 年份：1996
本文在对低温双极晶体管的直流特性的分析基础上，推导出ＥＣＬ电路在低温下的直流解析模型，并与实验结果和计算机模拟结果进行了比较，还对ＳＰＩＣＥ Ⅱ模型在低温下的修正和低温ＥＣＬ电路的设计进行......
[期刊论文] 作者：郑茳,沈克强,
来源：电子科学学刊 年份：1996
本文对ＥＣＬ电路的瞬态特性进行了较详尽的分析，给出了适于全温区的较精确的电路延时间表达式，并对影响ｔｐｄ的主要参数的温度特性进行了分析。该模型可用于各种温度下高速器件和电路的优......
[期刊论文] 作者：吴金,郑茳,
来源：低温工程 年份：1990
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[期刊论文] 作者：郑茳,吴金,
来源：电子学报 年份：1994
随着高可靠电子技术的发展，要求硅双极器件的电流增益ＨＦＥ具有很低的正温度系数，发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是常规硅双极晶体管ＨＦＥ具有较高正温度系数的主要原因。为了减小这一正......
[期刊论文] 作者：郑茳,王曙,
来源：电子学报 年份：1992
本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨...
[期刊论文] 作者：吴金,郑茳,
来源：电子学报 年份：1994
本文从器件物理角度出发，深入研究了ＭＬＳ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ、界面、体内电荷、击穿等电学性能，并研制成功了一种新型的具有优良电性能的ＭＬＳ结构场效应晶体管，所得实验结果与理论相吻合。......
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