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[学位论文] 作者：郝润豹,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2015
Sn Se作为一种p型的窄禁带半导体材料,其体材料的直接带隙为1.3 e V,可吸收大部分波段的太阳光。作为IV-VI族化合物的一员,除了具有本族化合物常见的优异性质外还具有其它特...
[会议论文] 作者：郝润豹,韩杰才,王先杰,宋波,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
通过脉冲激光沉积方法制备了SnSe薄膜。首先研究了生长温度对薄膜质量的影响，通过物相分析，发现在室温下即可得到结晶质量较好的薄膜材料。利用不同极化方向的铁电衬底通过......
[期刊论文] 作者：宋波,韩杰才,郝润豹,李加杰,王先杰,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：2016
封面图片来自本期论文＂铁电极化调控Sn Se薄膜光电性质研究＂,是哈尔滨工业大学航天学院所制作的Sn Se薄膜在不同波长照射下光电导的变化情况及电荷转移过程示意图.Sn Se作为一...
[期刊论文] 作者：宋波,韩杰才,郝润豹,李加杰,王先杰,,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：2016
利用脉冲激光沉积（PLD）技术在铌酸锂基片上沉积SnSe薄膜,研究了不同极化方向的铁电基片对SnSe薄膜光电性质的影响.控制PLD沉积时间,在铌酸锂基片上沉积出不同厚度的SnSe薄膜.X...
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