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通过脉冲激光沉积方法制备了SnSe薄膜。首先研究了生长温度对薄膜质量的影响，通过物相分析，发现在室温下即可得到结晶质量较好的薄膜材料。利用不同极化方向的铁电衬底通过光照下电子和空穴的注入对SnSe薄膜的光电性质进行调控。无光照条件下，不同极化场作用下的薄膜电阻可出现最大4倍的变化。
SnSe薄膜制备及其光电性质研究
【摘 要】
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通过脉冲激光沉积方法制备了SnSe薄膜。首先研究了生长温度对薄膜质量的影响，通过物相分析，发现在室温下即可得到结晶质量较好的薄膜材料。利用不同极化方向的铁电衬底通过
【机 构】
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哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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