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[期刊论文] 作者:郭亨群,
来源:光子学报 年份:1996
本文报道了铜-多孔硅的稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面吸附产生的表面电子态所起的非辐射复合中心的作用。...
[期刊论文] 作者:郭亨群,
来源:量子电子学 年份:1994
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[期刊论文] 作者:郭亨群,
来源:量子电子学 年份:1994
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[期刊论文] 作者:郭亨群,
来源:华侨大学学报(自然科学版) 年份:1995
研究氯化铜溶液中多孔硅光致光致发光猝灭的机制,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱表明铜-多孔硅界面电子态提供了非辐射复合的途径。...
[期刊论文] 作者:郭亨群,,
来源:华侨大学学报(自然科学版) 年份:1989
本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,...
[期刊论文] 作者:郭亨群, 叶天水,,
来源:光学学报 年份:2004
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[期刊论文] 作者:郭亨群,叶天水,
来源:高速摄影与光子学 年份:1991
本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载...
[期刊论文] 作者:郭亨群,叶天水,
来源:厦门大学学报(自然科学版) 年份:1993
用时间分辨激激光光谱学方法研究非晶态硒化镉薄膜光致发光,分析光生载流子的热释和复合机制....
[期刊论文] 作者:王国立,郭亨群,,
来源:半导体技术 年份:2008
采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si/SiO2复合薄膜,以不同退火温度对样品进行热处理。对样品进行X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(FFIR)、光致发光(PL)和光致发......
[期刊论文] 作者:郭亨群,叶天水,
来源:华侨大学学报:自然科学版 年份:1993
本文用电子探针对硒化镉薄膜进行微区分析,对薄膜的成分和厚度进行同时测定,并分析了制备条件对薄膜参数的影响。...
[期刊论文] 作者:林赏心,郭亨群,
来源:华侨大学学报:自然科学版 年份:2006
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平......
[期刊论文] 作者:叶天水,郭亨群,
来源:华侨大学学报:自然科学版 年份:1990
本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温...
[期刊论文] 作者:杜旭日,郭亨群,
来源:华侨大学学报:自然科学版 年份:2001
研究用等离子辅助镀技术,制备3种氧化物光学薄膜.透射光谱实验表明,该薄膜透明度好,吸收损耗小,具有优良的光学特性.经表面形貌探讨,说明等离子辅助镀技术可得到较为致密平整的薄......
[会议论文] 作者:林赏心,郭亨群,
来源:福建省光学学会2005年年会 年份:2005
本文阐述了含纳米硅薄膜发光的QCLC模型机理,即光激发仍然发生在纳米硅粒子内部,而辐射复合则发生在纳米硅粒子的表面或外部(氧化层)的发光中心上.探讨单个纳米硅粒子的...
[会议论文] 作者:林赏心,郭亨群,
来源:福建省光学学会2005年年会 年份:2005
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳...
[会议论文] 作者:杜旭日,郭亨群,
来源:全国薄膜学术讨论会 年份:1999
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[期刊论文] 作者:郭亨群,叶天水,
来源:科学通报 年份:1994
硒化镉薄膜在光敏电阻、太阳能电池、薄膜晶体管和微波放大器等方面有着广泛的应用,受到人们的重视.非晶态硒化镉(α-CdSe)材料的无序网络结构只具有短程有序性.缺乏长程有序...
[期刊论文] 作者:郭亨群,叶天水,
来源:光学学报 年份:1992
用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子的弛豫过程....
[期刊论文] 作者:郭震宁,郭亨群,
来源:光电子.激光 年份:2000
用简并四波混频技术研究了nc-Si/SiO2多层薄膜的三阶非线性光学性质,观察到了位相共轭信号,测得实验用样品在光波波长为589nm处的三阶非线性极化率χ^(3)为4.1×10^-7esu,并对该材料的光学非线性产生机理作......
[期刊论文] 作者:周赢武,郭亨群,
来源:光电子.激光 年份:1999
利用Z扫描法和波长为0.53μm、脉宽为10ns的调Q-Nd:YAG激光器测量了a-Si/SiO2多量子阱材料的三阶非线性折射率。并对该材料光学非线性的产生机理作用了探讨。......
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