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[学位论文] 作者：郭亿文,,
来源： 年份：2012
近年来,随着CMOS集成电路的飞速发展,器件特征尺寸已经进入纳米量级。传统SiO2栅介质由于厚度的减小产生很高的隧穿电流,因此高k栅介质取代Si02成为必然趋势。当高k材料用作...
[期刊论文] 作者：郭亿文,张心强,熊玉华,杜军,杨萌萌,赵鸿滨,
来源：稀有金属 年份：2004
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善...
[期刊论文] 作者：郭亿文,张心强,熊玉华,杜军,杨萌萌,赵鸿滨,,
来源：稀有金属 年份：2012
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2(GDH)高k薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层。结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善...
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