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[期刊论文] 作者：骆强,闵嗣桂,
来源：无机材料学报 年份：1992
本文采用 DSC、XRD、TEM 和瞬态反射率 R—温度 T,分析了 Sb_2Se_3,SbSe 和 Sb_3Se_2薄膜的非品析晶过程,研究了超化学计量 Sb_2Se_3的 Sb 对晶化行为的影响,发现晶体形貌和...
[期刊论文] 作者：秦晨,闵嗣桂,
来源：硅酸盐学报 年份：1966
作者利用二液分相的原理,在研究了ZnO-Al2O3-SiO2系统玻璃析晶条件的基础上,用添加B2O3的方法成功地制得了微晶玻璃,获得了一个具有实用价值的№6307微晶玻璃组成。研究了形...
[期刊论文] 作者：陈玲荣,闵嗣桂,
来源：半导体学报 年份：1987
本文研究了As-Se非晶态半导体光电导与光强的关系,及光电导瞬态过程.发现瞬态光电导具有前冲、峰值;并且σ_(?)与G的关系有非线性等反常现象.作者用As-Se非晶态半导体的结构...
[期刊论文] 作者：金宜芬, 闵嗣桂,,
来源：无机材料学报 年份：1973
一、引言 Li2O-Al2O3-SiO2系统光敏微晶玻璃作为介质材料已被应用。这种材料的特点是强度高、介电性能好,而且还可以化学加工成为各种形状的薄片,在电子工业中用途很大。由于...
[期刊论文] 作者：陈玲荣,闵嗣桂,张干城,
来源：无机材料学报 年份：1986
光量子效率是非晶态光电导材料的一个重要参数。本文利用静电放电的方法,探讨和研究了 As—Se 系统非晶态半导体材料的光量子效率与电场和组份的关系,得出的结果与 Onsager...
[期刊论文] 作者：张伟达,闵嗣桂,杨涵美,,
来源：功能材料 年份：1993
利用真空射频溅射法制得了非晶态As-Te硫系薄膜。借助于XRD法研究了该系统薄膜的热致析晶,并与相应的块状样品作了比较。薄膜在热处理前后的光学折射率和消光系数分别进行了...
[期刊论文] 作者：张伟达,闵嗣桂,杨涵美,
来源：硅酸盐学报 年份：1990
借助于各种热处理技术、DSC和XRD方法,研究了砷碲系玻璃的析晶过程。实验结果表明:砷蹄系统的玻璃转业点Te和初始析晶温度Ter随砷浓度增加而升高,而析晶速率则减慢;在较低温...
[期刊论文] 作者：吴道怀,陈菊芳,闵嗣桂,
来源：物理 年份：1980
一、引 言 非晶态硒具有良好的光电导特性,已在静电复印和彩色电视摄象中得到广泛的应用[1-3].随着应用的发展,对其光电导性亦提出了更高的要求,目前多采用硒合金来改进其光...
[期刊论文] 作者：张干城,张福珍,闵嗣桂,
来源：感光科学与光化学 年份：1986
本工作通过硒基静电复印感光材料的静电电位谱的测定,研究了非晶态As_xSe_(100-x)(0...
[期刊论文] 作者：张干城,范志岳,闵嗣桂,
来源：无机材料学报 年份：1992
本文研究的卤素掺杂非晶态 As_2Se_3中电子能级结构、发现材料的费米能级 E_F、深陷阱密度 N_P 以及ημτ输运参数值强烈地依赖于卤素的电负性,从中展示了在隙态中卤素浅能...
[期刊论文] 作者：张干城,张福珍,闵嗣桂,
来源：无机材料学报 年份：1986
我们采用静电复印谱的方法研究了 As_5Se_(95)膜中掺杂 Br、Cl、I 后对残余电位的影响,结果如下:1.As_5Se_(95)薄膜中掺杂 Cl、Br、I 后,残余电位降低,其次序为 I...
[期刊论文] 作者：陆家福,马英仁,闵嗣桂,,
来源：无机材料学报 年份：1981
Ge-Te系统玻璃溅射薄膜已成功地用于电改写与电擦除只读存储器,但薄膜如何从非晶态转为晶态?它的结构如何?这是关系着器件存储性能的问题。本文以Te_(81)Ge_(15)S_2Sb_2,Te_...
[期刊论文] 作者：王为忠,杨涵美,闵嗣桂,,
来源：上海建材学院学报 年份：1990
本文研究了Ge-Te-Se系统玻璃组成与静电复印特性的关系,给出作为复印材料使用的较合适的基础玻璃组成范围.同时,还研究了卤素掺杂剂对复印特性的影响,发现BiI_3在Ge_1Te_(1.5...
[会议论文] 作者：杨涵美,王为忠,闵嗣桂,
来源：中国硅酸盐学会特种玻璃学术会 年份：1985
...
[期刊论文] 作者：闵嗣桂,杨涵美,陈宗才,,
来源：贵金属 年份：1981
本工作的目的是通过组成与光电性能关系的研究,以期达到根据禁带宽度与组成的关系,设计化学组份,以获得各种不同禁带宽度的基体.固定禁带宽度,变动化学组成,以研究掺杂效果....
[期刊论文] 作者：骆强,闵嗣桂,张干城,陈菊芳,
来源：无机材料学报 年份：1992
本文采用 DSC、XRD、TEM 和瞬态反射率 R—温度 T,分析了 Sb_2Se_3,SbSe 和 Sb_3Se_2薄膜的非品析晶过程,研究了超化学计量 Sb_2Se_3的 Sb 对晶化行为的影响,发现晶体形貌和...
[期刊论文] 作者：张干城,陈玲荣,张福珍,闵嗣桂,
来源：无机材料学报 年份：1987
用静电放电方法研究硒碲材料中卤族元素掺杂对空穴陷阱的影响。结果表明卤族元素掺杂增加了硒碲材料的光量子效率η和光生载流子漂移长度μτE.而体陷阱积分密度 N_(?)降低以...
[期刊论文] 作者：杨涵美, 张干城, 王为忠, 闵嗣桂,,
来源：仪表材料 年份：2004
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[期刊论文] 作者：闵嗣桂,张干城,张福珍,陈菊芳,盛连根,,
来源：无机材料学报 年份：2004
本文描述随As_xSe_(1-x)膜组成变化(0...
[期刊论文] 作者：张福珍,陈菊芳,盛连根,张干城,闵嗣桂,,
来源：贵金属 年份：1981
本工作借助于静电光致放电测量技术对该系统非晶态膜进行光电导特性研究.主要以暗放电速率,灵敏度以及残余电位等光电参数来表征材料膜的传输特性.表明光电性能的变化是受组...
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