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[期刊论文] 作者：闻永祥,
来源：电子工程师 年份：2000
介绍了一种超大规模集成电路层间介质膜的平坦化技术 ,通过对双层布线中复合膜(CVD- Si O2 膜和 SOG膜 )的回刻 ,使器件在具有高的沟或接触孔的深宽比 (aspect ratio)条件下...
[期刊论文] 作者：王友良, 闻永祥, 方佼, 季锋,,
来源：中国集成电路 年份：2015
本文通过对多腔室高真空溅射台进行改造,实现了对硅片级薄膜吸气剂的吸气能力进行定量评估。通过用毛细管将压力调整腔与测试腔体相连以进行压力差测试,适用于评估吸气能力较...
[期刊论文] 作者：於广军,闻永祥,方佼,李志栓,,
来源：中国集成电路 年份：2015
本文研究了高频（13．56MHz）和低频（380KHz）深槽刻蚀机，对SOI硅片深槽刻蚀横向切口（notching）效应的影响。结果表明：过刻蚀量（0E）在20％时，高频设备发生notching现象，但是随着槽尺寸的增大，notc......
[会议论文] 作者：饶晓俊,刘琛,闻永祥,闫建新,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
采用磁控溅射技术研究了溅射温度对各向异性Ni80Fe20磁阻薄膜特性的影响.提高溅射温度给薄膜原子提供了能量,使薄膜原子在基片表面运动再分布,减少了膜内晶粒之间以及与基片之间的应力,改善了晶格结构和薄膜表面粗糙度,进而改善了薄膜的磁阻特性;溅射温度过高会......
[期刊论文] 作者：季锋, 刘琛, 孙伟, 闻永祥, 邹光祎,,
来源：中国集成电路 年份：2019
本文介绍了在具有N-网格结构的单晶硅上通过电化学腐蚀的方法,将硅片部分区域转化成多孔硅,通过常规单晶硅外延工艺,使多孔硅所在区域形成外延单晶硅下的空腔结构。该制造方...
[期刊论文] 作者：闻永祥,范伟宏,顾悦吉,刘琛,刘慧勇,,
来源：中国集成电路 年份：2013
功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域，是功率器件的主流产品之一。本文首先介绍了IGBT的短路特性及测试方法和条件，分析了栅极异常振荡对IGBT...
[期刊论文] 作者：闻永祥,范伟宏,顾悦吉,刘琛,刘慧勇,,
来源：中国集成电路 年份：2013
IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先简要介绍IGBT及历代器件工艺的发展,提出了一种槽栅IGBT的工艺流程,并研...
[期刊论文] 作者：刘琛,闻永祥,顾悦吉,刘慧勇,邹光祎,,
来源：中国集成电路 年份：2014
功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一.本文首先介绍了电子辐照技术在改善IGBT关断时间的应用,以及该技术在槽栅I...
[期刊论文] 作者：方佼,於广军,闻永祥,李晓伟,陈雪平,,
来源：中国集成电路 年份：2016
本文介绍了一种在MEMS磁传感器中利用剥离工艺制作斜面barber电极的技术。通过研究曝光量、PEB温度和PEB时间对负胶倒角的影响得到最佳工艺条件，负胶形貌为倒梯形，等效倒角约69...
[期刊论文] 作者：方佼,於广军,闻永祥,马志坚,季锋,闵猛猛,,
来源：中国集成电路 年份：2016
本文介绍了一种用于微结构干法释放的HF气相刻蚀技术。通过调节工艺参数（包括腔体压力,HF流量,乙醇流量,氮气流量）研究其对二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响,得到刻蚀速率在500...
[期刊论文] 作者：刘琛,闻永祥,黄荣生,季锋,饶晓俊,邹光祎,,
来源：中国集成电路 年份：2014
本文提出了一种可与CMOS工艺兼容的MEMS晶圆级铝锗键合工艺。根据铝锗共晶键合的特点,设计了键合工艺流程,并通过对键合工艺（包括键合温度、键合时间、键合压强）安排多次试验,...
[期刊论文] 作者：於广军,杨彦涛,闻永祥,李志栓,方佼,马志坚,,
来源：半导体技术 年份：2016
介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF...
[期刊论文] 作者：周浩, 罗燕飞, 高周妙, 闻永祥, 李志栓, 方佼, 季锋,
来源：中国集成电路 年份：2018
本文研究了博世（Bosch）工艺的工艺参数及清洗工艺对刻蚀结果的影响。通过调节工艺参数（包括SF6气体的流量、工艺气压、上电极（Source）功率、下电极偏压（bias）功率、C4F8钝化切换时间......
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