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[期刊论文] 作者：陆建村,
来源：稀有金属 年份：1979
四、磷化铟在微波领域的应用前景 1970年,英国皇家雷达研究所Hilsum在理论上预言,InP是具有三能谷跃迁机构的材料,作为转移电子振荡器和放大器,预期可获得比GaAs器件更高的...
[期刊论文] 作者：陆建村,,
来源：稀有金属 年份：2004
一、前言 GaAs和InP的电子迁移率比硅大,禁带宽度比硅宽,有可能成为比Ge,Si更优越的半导体材料。1963年,继GaAs之后发现了InP的激光作用;同年,在InP和GaAs上都观察到微...
[期刊论文] 作者：陆建村,,
来源：上海有色金属 年份：1980
美国 Kennecott Copper Corp·公司Chase Brass and Copper Co·分公司研究成功注浇,自下而上送坯料,热轧和冷轧的联合工艺。新工艺将大大增加生产速度,改善半成品生产...
[期刊论文] 作者：陆建村,,
来源：上海有色金属 年份：1978
一、前言1952年,Welker第一次从寻找新型半导体材料的考虑出发,研究了Ⅲ—Ⅴ族化合物的若干物理特性,证实了这类化合物是半导体,而且具有许多与锗、硅不同的半导体特性。GaA...
[期刊论文] 作者：陆建村,,
来源：上海有色金属 年份：1980
日本 Kobe Steel Ltd·今天声称,美国三大铝联合生产公司之一的凯赛尔铝化学公司和日本公司签订了几百万美元的合同,建立6600吨非直接挤压生产线生产铝合金。非直接挤压法已...
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