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[会议论文] 作者:陆沅;刘祥林;陆大成;袁海荣;陈振;王晓晖;王占国;,
来源:2002年中国材料研讨会 年份:2002
通过采用超薄的AlN润湿层和低温GaN成核层作为复合缓冲层,我们用金属有机物气相沉积(MOCVD)设备在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN薄膜.实验结果GaN(0002)衍射峰的X射线摇摆...
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