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[期刊论文] 作者：殷士端,张敬平,顾诠,陆珉华,
来源：半导体学报 年份：1987
在(111)Si中以 350 keV,1×10~(15)和 5×10~(15)/cm~2注入Pb并进行连续 CO_2激光退火.用背散射RBS和透射电子显微镜TEM研究退火前后的杂质分布和辐射损伤.实验表明,上述退火...
[期刊论文] 作者：王建农,范缇文,段晓峰,陆珉华,褚一鸣,,
来源：电子显微学报 年份：1986
非晶态半导体超晶格一种新发展的材料。它一般由两种极薄的薄膜交替迭合而成,单个薄层的厚度从十几埃到数百埃。薄层的厚度、厚度的均匀性、界面的平整性等是对这种材料特性...
[期刊论文] 作者：盛旦初,王建农,王凤莲,陆珉华,都安彦,褚一鸣,,
来源：电子显微学报 年份：1986
集成电路工艺的迅速发展在一个芯片上已可以制作10~5以上的元件,即LSI和VLSI大规模和超大规模。集成度的提高使元件的最小尺度降到一微米以下,而栅氧化层仅数十个nm。对这种...
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