【摘 要】
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非晶态半导体超晶格一种新发展的材料。它一般由两种极薄的薄膜交替迭合而成,单个薄层的厚度从十几埃到数百埃。薄层的厚度、厚度的均匀性、界面的平整性等是对这种材料特性
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院北京电子显微镜实验室,中国科学院半导体研究所,中国科学院北京电子显微镜实验室 半导体研究所
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非晶态半导体超晶格一种新发展的材料。它一般由两种极薄的薄膜交替迭合而成,单个薄层的厚度从十几埃到数百埃。薄层的厚度、厚度的均匀性、界面的平整性等是对这种材料特性有重要影响的重要参数。XTEM—横断面TEM技术是测定这些参数的唯一方法。本文利用XTEM技术研究了数种不同的超晶格样品,如:aSi-aC,
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