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[会议论文] 作者：陈亮;张义门;张玉明;吕红亮;,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
埋栅-埋沟4H-SiC MESFET新型结构器件是利用工艺手段将栅极底部埋入导电沟道内部中，并在其导电沟道上部加入一层缓冲层。利用ISE软件，建立了埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型，并...
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