搜索筛选:
搜索耗时2.9859秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 2 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：陈伊鸣,
来源：中国科学技术大学 年份：2005
本文通过气相法制备得到一维GaN纳米结构，研究了其生长形貌，生长机理和发光特性。首先，第一章简要介绍了纳米材料的一般特性，制备手段以及一维GaN纳米材料的研究现状。第二，三章......
[期刊论文] 作者：陈伊鸣,王冠中,韩新海,李大鹏,谢兴,王清涛,
来源：化学物理学报 年份：2005
氮化镓(GaN)是一种直接带隙Ⅲ～V族半导体化合物,具有较宽的禁带宽度(Eg=3.4 eV),较高的热稳定性,以及抗辐照等特性[1-4],是制备近紫外和蓝光光电子器件、高速微电子器件的理想...
相关搜索：
