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本文通过气相法制备得到一维GaN纳米结构，研究了其生长形貌，生长机理和发光特性。首先，第一章简要介绍了纳米材料的一般特性，制备手段以及一维GaN纳米材料的研究现状。第二，三章是本文研究部分内容，分别是制备一维GaN纳米线，纳米管的一些探索性工作，以研究其生长机理，Raman特性为重点。
主要的研究工作及结果如下：通过化学气相法制备了纳米晶粒团聚的GaN纳米线。采用SEM、XRD深入分析了纳米线的形貌和结构与制备条件的关系。同时，分析了GaN纳米线A1(LO)Raman散射峰向低频方向较大的不对称性展宽。
介绍了使用简单气相方法生长制备了外径30nm超细的GaN纳米管结构，通过改变反应条件以控制其形貌，并且分析了催化剂辅助纳米管生长的机制。