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[期刊论文] 作者：何杰,陈康烨,林拉,张国瑞,顾伟霞,马锡英,,
来源：物理实验 年份：2013
以MoS2粉末为原料,以氩气为携载气体,在400~600℃温度范围内利用热蒸发方法在硅衬底表面制备了不同厚度的MoS2薄膜.利用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了MoS2薄膜的结构和表...
[期刊论文] 作者：林拉,陈康烨,何杰,张国瑞,顾伟霞,马锡英,
来源：纳米技术 年份：2013
本文主要采用化学气相沉积法,以MoS2饱和溶液为原料,利用氩气为输运气体,携带MoS2蒸汽进入反应室,在Si衬底上制备大面积均匀的MoS2超薄薄膜,并分析了不同的退火温度对于薄膜...
[期刊论文] 作者：张浩,董洁文,吕孝鹏,王鑫,许元鲜,邵雪峰,王珊珊,邓雅丽,陈康烨,马锡英,,
来源：物理实验 年份：2013
以甲烷作为反应气体、利用高温化学气相沉积法分别在纯硅片和镀镍镉过渡层硅片上沉积石墨烯薄膜,应用金相显微镜和电学特性测试分析了700,900,950℃温度下生长的石墨烯薄膜的...
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