【摘 要】
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以MoS2粉末为原料,以氩气为携载气体,在400~600℃温度范围内利用热蒸发方法在硅衬底表面制备了不同厚度的MoS2薄膜.利用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了MoS2薄膜的结构和表
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以MoS2粉末为原料,以氩气为携载气体,在400~600℃温度范围内利用热蒸发方法在硅衬底表面制备了不同厚度的MoS2薄膜.利用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了MoS2薄膜的结构和表面形貌,发现MoS2薄膜由多晶MoS2粒子组成,颗粒均匀,平均纳米颗粒尺寸约为60nm.利用紫外可见光光谱仪测量了其吸收特性,发现样品在720nm附近有很强的吸收.应用霍尔效应和伏安法研究了MoS2/Si样品的接触特性和电子的运输特性,发现该异质结具有良好的整流特性,即正向电压下电流随电压呈指数增长,而在反向偏压下漏电流很小,电子迁移率可达到6.730×102 cm2/(V·s).实验结果表明MoS2薄膜具有良好的电学特性,可用来制备晶体管和集成电路等器件.
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