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[会议论文] 作者：陈开茅;孙文红;武兰青;张伯蕊;吴恩;孙允希;,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
在高真空系统中，将C...
[会议论文] 作者：陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,吴恩,孙允希,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
在高真空系统中，将C/n-GaAs和C/p-GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±1V 时，它们的整流比分别大于10和10，以及在固定正向偏压下，它们的电流都是温度倒数的指数函数，从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV。深能级瞬态谱(DLTS)......
[期刊论文] 作者：陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,吴恩,孙允希,乔永平,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,它们...
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