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[期刊论文] 作者：顾炯,陈硕颀,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹...
[期刊论文] 作者：陈硕颀,林金庭,程思琪,王世林,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
在功率GaAs MESFET及其放大器迅速发展的今天,人们已不再满足于仅利用均匀的有源层掺杂分布模型对器件的基本特性进行分析,以及利用近似均匀分布的GaAs材料来制作功率GaAs M...
[期刊论文] 作者：陈硕颀,林金庭,程思琪,王世林,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
为了提高GaAs功率MESFET的输出线性度,器件有源层掺杂分布的改进是一种 有效的手段。本文探索了有源层掺杂分布与器件输出线性度之间的关系,提出了非均匀有源层掺杂分布模型...
[期刊论文] 作者：顾炯,陈硕颀,王福臣,过常宁,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹...
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