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[期刊论文] 作者：董雷, 杨俊孝,,
来源：经济研究导刊 年份：2013
新疆生产建设兵团在推动新疆生产建设发展中有着极其重要的作用,在新时期下,兵团城镇化的发展符合党和国家的号召,有利于进一步推动新疆整体稳定,从而带动其经济进一步增长。...
[期刊论文] 作者：钟伟,雷杨俊,,
来源：中国陶瓷 年份：2015
针对陶瓷成型工艺中出现的气孔缺陷,建立能准确描述陶瓷料浆充填过程的数学模型,以典型结构的A-95陶瓷试样为例,研究入口压力和尺寸对料浆充填流动过程的影响。通过对料浆充...
[期刊论文] 作者：雷杨俊,唐兵华,
来源：中国工程物理研究院科技年报 年份：2003
真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约，在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下，绝缘子就出现了击穿现象，即沿面闪络击穿。利用真空绝缘......
[期刊论文] 作者：雷杨俊, 肖定全,,
来源：功能材料 年份：2003
陶瓷绝缘子沿面闪络是制约电真空器件绝缘性能、影响设备正常运行的关键因素之一.本文介绍了关于真空中陶瓷绝缘子沿面闪络物理机制的各种假说,着重阐述了二次电子发射雪崩理...
[期刊论文] 作者：雷杨俊, 肖定全,,
来源：硅酸盐学报 年份：2005
为改善氧化铝陶瓷绝缘子的沿面耐压能力开展体掺杂实验研究。以95%(质量分数,下同)氧化铝陶瓷瓷料为基料,选择Cr2O3和MnCO3作为添加剂制备掺杂样品,并对该陶瓷样品进行了性能...
[期刊论文] 作者：雷杨俊, 肖定全,,
来源：绝缘材料 年份：2004
为提高真空中陶瓷绝缘子的整体耐压水平,对真空中氧化铝陶瓷的沿面闪络行为进行研究 ,选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷进行表面耐压试验 ,结果表明 :测试过程对陶瓷绝缘...
[期刊论文] 作者：徐盛雷,杨俊生,,
来源：安康师专学报 年份：2006
战国时期，秦国显赫一时的相邦吕不韦。在其处心积虑的经营下，克服了前进道路上的一个又一个障碍，正当其踌躇满志即将达到其预期的目标时。芙梦被他的强硬对手秦王赢政所击破。他......
[期刊论文] 作者：周长春, 孙雷, 杨俊峰,,
来源：中国石油和化工 年份：2013
在电力行业中利用电力电缆传送电能不可缺少，电力电缆终端头或中间接头的制作工艺在电缆安装过程中非常重要。在电缆终端头或中间接头制作过程中，特别是35KV电缆主绝缘表面的半......
[期刊论文] 作者：李岿,范雷,杨俊威,,
来源：日用化学品科学 年份：2007
以氨基磺酸和丙烯醇醚为原料，在酸性催化剂A和胺类催化剂B复配作为催化体系下进行硫酸化反应。重点考察了催化剂用量、醇酸摩尔比、反应温度和反应时间对丙烯醇醚硫酸盐的活性......
[期刊论文] 作者：唐兵华,雷杨俊,黄云,
来源：中国工程物理研究院科技年报 年份：2006
Al2O3陶瓷因其具有良好的电气性能、机械强度高、热膨胀系数小等特点，广泛应用于电真空器件中。其机械强度、致密度、耐磨性等受其粉体的物化性能的影响。粉体一次颗粒的大小...
[期刊论文] 作者：武雷,杨俊,秦建强,
来源：中国临床康复 年份：2004
基底膜是沉积形成在有髓或无髓神经纤维周围的一层有序致密排列的细胞外基质.基底膜在周围神经损伤与再生中发挥着重要的作用,当神经受到损伤时,轴突和髓鞘崩解溃变,其碎片被...
[期刊论文] 作者：展朋雷，杨俊，董懿,
来源：中国保健营养 年份：2015
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[期刊论文] 作者：雷杨俊, 肖定全, 唐兵华,,
来源：硅酸盐学报 年份：2006
利用电子束致二次电子发生装置,选择具有不同组成、相同尺寸(φ25mm×0.3mm)的Al2O3陶瓷样品进行表面二次电子发射系数的测量,在相同实验条件下获得了典型的表面二次电子发射...
[期刊论文] 作者：展朋雷, 杨俊, 亓观霞,,
来源：心理月刊 年份：2018
目的观察糖皮质激素与盐酸氨溴索联合治疗分泌性中耳炎的效果。方法选取本院自2017年3月～2018年3月收治的110例分泌性中耳炎患者,随机分成两组,对照组55例给予盐酸氨溴索,实验...
[期刊论文] 作者：程焰林,向伟,雷杨俊,
来源：中国工程物理研究院科技年报 年份：2008
氧化铝陶瓷以其优良的机电性能在特种电真空器件中被广泛应用，起着高压绝缘、真空密封以及支撑固定的作用。随着脉冲功率技术和电真空器件技术的迅速发展，对氧化铝陶瓷的耐压性......
[期刊论文] 作者：程焰林,向伟,雷杨俊,
来源：高压电器 年份：2009
电极作为高压绝缘子的加载对象．在电真空器件中有着至关重要的作用．合理的电极结构设计可以有效地提高高压器件的沿面耐压。笔者从实际的应用出发，针对几种新型电极结构进行了电......
[会议论文] 作者：易歆雨,唐兵华,雷杨俊,
来源：第十二届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份：2015
单晶硅是微电子和微机电系统(MEMS)中主要的半导体基底材料,随着系统集成度的提高,对单晶硅表面质量及晶圆取向的要求越来越高.单晶硅在加工过程中,由于切片过程的参数不合理...
[会议论文] 作者：程焰林,向伟,雷杨俊,
来源：四川省电子学会高能电子学专业委员会第五届学术交流会 年份：2007
绝缘子沿面闪络击穿制约着高压真空器件的耐压性能。本文在对真空中沿面闪络击穿机理分析的基础上,总结出可提高绝缘子沿面闪络电压的方法和途径,并从改善高压真空器件绝缘子...
[会议论文] 作者：唐兵华,杜继实,雷杨俊,
来源：中国晶体学会第六届学术年会暨会员代表大会 年份：2016
微晶玻璃是由适当组成的基础玻璃通过高温晶化而制得的一类多晶固体材料，在国防、航天、电子电力、建筑装饰和生物医学方面有重要的应用潜力。实验中采用球磨细化后的二氧化硅、氧化铝、氧化硼、氧化镁、氧化钠、氧化钛、氧化锆、磷酸钙、氟化钙等为原料，将其混合......
[会议论文] 作者：程焰林,向伟,雷杨俊,
来源：全国信息与电子工程第三届学术交流会暨四川省电子学会曙光分会第十四届学术年会、中物院电子技术第八届青年学术交流会 年份：2008
真空中绝缘子沿面闪络击穿是制约高压真空器件电绝缘性能的一个重要因素。为了提高小型高压真空器件高压绝缘子的耐压性能，本文在对高压绝缘子真空中沿面闪络击穿机理分析的基础上，分析了可提高高压绝缘子沿面闪络电压的方法和途径，给出了几种可能改善高压真空器件......
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