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[会议论文] 作者：韩东岳;孔苏苏;李辉杰;杨少延;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
氮化铝(AlN)的禁带宽度大、热导率高、与铝镓氮(AlGaN)的晶格适配小,是AlGaN基紫外LED以及高频大功率电力电子器件的理想衬底材料.氢化物气相外延(HVPE)在制备GaN单晶膜厚方...
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